近日,中建一局建设发展公司承建的国内最大的SIC功率半导体制造基地--武汉长飞先进半导体基地项目成功完成首榀桁架吊装,标志着项目钢结构施工全面展开,助力武汉打造世界级化合物半导体产业高地。
项目位于湖北省武汉市,总建筑面积约25.15万平方米,建成后预计年产6英寸碳化硅MOSFET及晶圆36万片,功率器件模块6100万个,将广泛覆盖新能源汽车、光伏、储能、充电桩、电力电网等领域。
近日,中建一局建设发展公司承建的国内最大的SIC功率半导体制造基地--武汉长飞先进半导体基地项目成功完成首榀桁架吊装,标志着项目钢结构施工全面展开,助力武汉打造世界级化合物半导体产业高地。
项目位于湖北省武汉市,总建筑面积约25.15万平方米,建成后预计年产6英寸碳化硅MOSFET及晶圆36万片,功率器件模块6100万个,将广泛覆盖新能源汽车、光伏、储能、充电桩、电力电网等领域。