2024年4月27日，“2024功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2024）”在成都开幕。本次会议在电子科技大学和第三代半导体产业技术创新战略联盟指导下，由电子薄膜与集成器件国家重点实验室、电子科技大学集成电路研究中心、成都信息工程大学、极智半导体产业网、第三代半导体产业、中国电源学会元器件专业委员会共同主办。
来自全国各地高校科研院所的学术界专家、学者和产业界领袖200余位嘉宾代表出席本次论坛。围绕硅基、化合物功率器件，以碳化硅和氮化镓为代表的高压及低压等电力电子器件、功率集成电路、封装等主题，深入探讨交流最新技术进展与发展趋势，分享前沿研究成果，携手促进功率半导体器件与集成电路技术与应用发展。电子科技大学教授周琦主持了论坛开幕式环节。
AI时代连接前沿 探索科技自主新实践
算力时代AI芯片的性能和功率加速提升，驱动相关材料的技术变革和需求放量。半导体新材料支撑人工智能可持续发展。“功率芯”被认为是“中国芯”的最佳突破口。功率半导体作为半导体产业的重要组成部分，是国家“双碳”战略的关键支撑，也是保障国家安全和产业链安全的重要基石。功率半导体已广泛应用于国民经济各个领域。随着人工智能、数字经济的蓬勃发展，功率半导体面临新的机遇，也有望开拓更广阔的市场空间。
电子科技大学教授 张波
作为四川代表性的科研力量之一，同时也是本次论坛的主办方之一，电子科技大学是国家双一流建设高校，完整覆盖整个电子信息类学科，已成长为国内电子信息领域高新技术的源头，创新人才的基地。论坛大会主席，电子科技大学教授张波为论坛致辞时表示，当前人工智能的快速发展，功率半导体的发展正当时，非常重要。本次会议群英荟萃，众多领域专家学者和业界翘楚将分享功率半导体最新研究成果，探讨前沿技术问题，在当前人工智能发展的科技背景下具有更加重要的意义。期待通过此次会议促进学术交流，加强科技自主创新，推动功率半导体行业高质量发展。
第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长 耿博
第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长耿博致辞时表示，半导体产业的核心竞争力决定科技发展的高度。当前，半导体产业进入稳步增长的发展态势，在AI算力、电力等需求驱动下，全球半导体领域的资源投入达到了新的高峰。我国功率半导体市场规模逐年攀升，已成为全球功率半导体市场的重要增长极。未来，随着材料、器件等产业全链条技术的进步与提升，功率半导体发展空间巨大。成都的功率半导体产业发展迅速，已构建了较为完整的产业链，在专业人才资源等方面有所积累，并拥有电子科技大学等具有优势的科研机构，综合实力强大。希望借此会议契机，共同为业界搭建高质量的开放互动交流平台，共同探讨，助力探索科技自主实践。
深度聚焦技术进展 助力新时代科技应用前行
大会主旨报告环节，六大重量级报告，深入探讨交流功率半导体器件设计及集成应用的最新进展及前沿新方向。电子科技大学教授周琦和第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长耿博共同主持了大会报告环节。
电子科技大学教授周琦
成都信息工程大学副校长、电子科技大学教授罗小蓉
《氮化镓功率器件结构、驱动和电源应用》
GaN作为第三代半导体的代表，具备宽带隙、高临界击穿电场和高电子迁移率等优势，在电力电子技术领域受到广泛关注。成都信息工程大学副校长、电子科技大学教授罗小蓉做了题为“氮化镓功率器件结构、驱动和电源应用” 的主题报告， 重点阐述GaN在功率器件、栅驱动以及高效电能变换三个方面的技术现状、挑战以及应对方法，涉及高可靠低损耗GaN电力电子器件新结构，高频率高精度GaN栅驱动技术，以及基于GaN的高效高功率密度电源系统。
第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长赵璐冰
《第三代半导体产业发展现状及展望》
应用需求推动半导体新材料不断发展，颠覆性技术不断涌现，我国巨大的市场需求亟待满足。第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长赵璐冰做了“第三代半导体产业发展现状及展望”的主题报告，分享了当前产业整体发展现状，形势与需求。报告指出，新能源汽车等应用产业高速发展带动第三代半导体需求增长。8英寸SiC量产加快，企业积极布局沟槽栅MOSFET，氮化镓迈向更广阔领域。超宽禁带半导体作为战略储备技术成为各国关注焦点。国际已进入产业化快速发展阶段，我国核心材料和器件的规模化生产能力亟待突破。
广东芯粤能半导体有限公司首席技术官相奇
《大规模碳化硅功率器件制造探索 》
广东芯粤能半导体有限公司首席技术官相奇做了题为“大规模碳化硅功率器件制造探索 ”的主题报告，分享了市场需求、研发与制造的新进展。报告指出，“双碳”战略开启能源转换的黄金时代，碳化硅很适合功率器件，具有系统优势。全球碳化硅功率器件市场需求爆发式增长。在新能源汽车应用潜力巨大。当前全球碳化硅产业链价值主要集中在上游，主要由海外头部企业主导。碳化硅市场规模和应用领域爆发式增长推动规模化和专业化生产。
电子科技大学集成电路科学与工程学院副院长、教授陈万军
《超快高压脉冲功率半导体器件与应用》
电子科技大学集成电路科学与工程学院副院长、教授陈万军做了题为“超快高压脉冲功率半导体器件与应用”的主题报告，分享了最新研究成果。报告指出，超快高压脉冲功率半导体器件是全固态脉冲功率系统的核心和关键。研制超快高压脉冲功率芯片用于小型化脉冲起爆/点火系统，重复脉冲发动机点火系统，固态直流断路器等领域。
西安交通大学电气工程学院教授王来利
《碳化硅功率半导体器件与变换器封装集成技术研究》
现有的器件封装技术主要是基于硅半导体发展而来，难于充分发挥碳化硅半导体的优势，已经成为碳化硅器件走向大规模应用的瓶颈性问题。西安交通大学电气工程学院教授王来利做了题为“碳化硅功率半导体器件与变换器封装集成技术研究”的主题报告，分享了最新研究进展与成果。报告指出，过去几十年，半导体技术快速发展，芯片特性显著提升。半导体芯片、器件封装、装备应用还面临着更高耐压、效率、频率等挑战。相同封装下宽禁带器件比硅器件面临更高的电热应力。也面临着宽禁带器件封装材料体系无法匹配半导体高温特性的挑战。
成都高投芯未半导体有限公司常务副总经理蒋兴莉博士
《高密度IGBT实现路径》
成都高投芯未半导体有限公司常务副总经理蒋兴莉博士做了题为“高密度IGBT实现路径”的主题报告，报告指出，尽管本土产量增速高于需求增速，但供需缺口绝对量仍有较大空间，仍以进口为主。从下游IGBT需求结构来看，中国IGBT需求结构与全球市场不同，新能源汽车，消费电子和工控是IGBT需求占比最大的三个下游领域。
会议期间，在第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长赵璐冰的主持下，电子科技大学教授张波 ，大连理工大学教授王德君，广东芯粤能半导体有限公司首席技术官相奇，西安交通大学电气工程学院教授王来利，电子科技大学集成电路科学与工程学院副院长、教授陈万军，成都高投芯未半导体有限公司常务副总经理蒋兴莉博士齐聚，围绕着宽禁带半导体SiC/GaN、传统Si基功率半导体的未来发展与机遇，SiC的爆发点、瓶颈，GaN的发展空间，大规模应用领域，以及金刚石、GaO、AlN等的发展机会等当前产业发展的最热点话题，展开探讨，现场提问不断，交流互动氛围热烈。
本次论坛除开幕大会，两天时间里，还设置了两大平行论坛，围绕“硅基、化合物功率器件设计及集成应用”、“高压器件设计、集成及封装应用“等主题方向，来自产业链的企业及高校科研院所的实力派嘉宾代表将深入研讨，携手促进功率半导体器件与集成电路技术及应用发展。
论坛同期还设置了主题展览，交流晚宴、商务考察等线上线下丰富的活动形式，凝心聚力，助力对接资源，洽谈合作。论坛期间，组织安排嘉宾代表们有意向的走访电子科技大学、国家集成电路产教融合创新平台、电子科技大学分析测试中心、功率集成技术实验室等，实地了解，探讨更多合作可能。
CASICON 系列活动简介
“先进半导体产业大会（CASICON）” 是由【极智半导体产业网】主办，每年在全国巡回举办的行业综合活动。活动聚焦先进半导体产业发展热点领域与应用方向，聚合产业相关各方诉求，通过“主题会议+项目路演+展览”等形式，促进参与各方交流合作，积极推动产业发展。CASICON 系列活动将以助力第三代半导体产业发展为己任，持续输出高质量的活动内容，搭建更好的交流平台，为产业发展贡献应尽的力量。
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