4月24日，韩国存储芯片巨头SK海力士宣布，计划在韩国投资5.3万亿韩元（约278.78亿人民币）建设一座新的动态随机存取存储器（DRAM）芯片生产基地，计划于4月底开始建造工厂，预计将在2025年11月前实现量产。
SK海力士在声明中称，包括计划逐步增加的投资在内，新生产基地的长期投资总额预计将超过20万亿韩元（约1052亿人民币），SK海力士计划在现有的清州生产基地附近建立新工厂，提高DRAM的产能，重点是高带宽内存（HBM）芯片。
SK海力士预测，HBM芯片市场的年增长率将超过60%，尽管随着数据中心的不断增加，普通DRAM的销量也在稳步上升。
SK海力士在韩国的投资还包括龙仁半导体产业园区等，长期投资规模约为120万亿韩元（约6312亿人民币）。此外，SK海力士还计划斥资39亿美元在美国印第安纳州建立先进的封装工厂和人工智能（AI）产品研究中心。
由于芯片行业低迷，SK海力士去年削减了50%的年度投资，并在10月份表示，2024年的投资增幅将保持在最低水平。尽管SK海力士对投资持谨慎态度，但该公司同时表示，市场对HBM芯片的需求量非常大，其今年和明年大部分时间的产能已被预订一空。
同日，SK海力士发布截至2024年3月31日的2024财年第一季度财务报告。公司2024财年第一季度结合并收入为12.43万亿韩元（约653.82亿人民币），同比增加144%；营业利润为2.89万亿韩元（约152.01亿人民币），同比扭亏为盈；净利润为1.92万亿韩元（约100.99亿人民币），上年同期亏损2.59万亿韩元（约136.23亿人民币）。
