日程出炉！2024功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2024）

时间

主要安排

4月27日

09:00-20:00

报到&资料领取

11:00-13:30

自助午餐

13:30-17:30

开幕大会暨主旨报告

19:00-21:00

欢迎晚宴

4月28日

08:30-12:00

分论坛1：

分论坛2：

12:00-13:30

自助午餐&交流

13:30-18:00

分论坛1：

分论坛2：

备注：仅供参考，以现场为准。

时间

题目

报告人

主持人

4月27日

开幕大会及主旨报告

 13:30-18:00

13:30-13:50

嘉宾致辞

13:50-14:20

第三代半导体产业发展现状及展望

赵璐冰---第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长

周 琦 电子科技大学教授

14:20-14:50

氮化镓功率器件结构、驱动和电源应用

罗小蓉  —— 成都信息工程大学副校长、电子科技大学教授、

14:50-15:20

大规模碳化硅功率器件制造探索

相  奇  ——  芯粤能半导体首席技术官

15:20-15:35

Cofee break/茶歇

15:35-16:05

硅基脉冲功率器件

陈万军  电子科技大学 集成电路科学与工程学院副院长 教授

赵璐冰 第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长

16:05-16:35

碳化硅功率半导体器件与变换器封装集成技术研究

王来利   西安交通大学系主任、教授

西安交通大学绍兴市通越宽禁带半导体研究院院长

16:35-17:05

高密度IGBT实现技术

孟繁新   成都森未科技有限公司首席专家、成都高投芯未半导体有限公司CTO   

17:05-18:00

Panel Discussion/圆桌对话

19:00-21:00 欢迎晚宴

4月28日 8:30-12:00  13:30-18:00

分论坛1：硅基、化合物功率器件设计及集成应用

8:30-8:50

ICT场景下中低压(<200V) GaN器件应用挑战

包琦龙   海思半导体功率半导体器件部技术专家   

周琦  电子科技大学教授

8:50-9:10

PGaN增强型GaN功率器件设计与仿真技术

刘  勇   成都氮矽科技有限公司资深GaN器件总监  

9:10-9:30

GaN功率半导体器件仿真建模与制备研究

张紫辉    广东工业大学教授

9:30-9:50

氮化镓功率器件开关安全工作区的研究

蒋其梦   中国科学院微电子所研究员

9:50-10:10

氮化镓异质界面温升表征方法

张亚民   北京工业大学副教授

10:10-10:25

茶歇-Coffee break

10:25-10:55

高速低损耗SOI LIGBT新结构与机理研究

魏  杰    电子科技大学研究员  

周弘 西安电子科技大学教授

10:55-11:15

非晶氧化物半导体功率器件：理论极限和初步实现

周贤达    广东工业大学副教授

11:15-11:35

Ga-O原子间势函数及其应用研究

化梦媛    南方科技大学助理教授

11:35-11:50

高功率氧化镓肖特基二极管研究

韩仕达  中国电子科技集团公司第十三研究所 工程师

11:55-12:10

一种新型氮化镓基发光高电子迁移率晶体管：面向高分辨率显示与高速光通信

任开琳   上海大学副教授

12:00-13:30  午餐自助

13:30-13:50

金刚石半导体材料及功能器件研究

朱嘉琦   哈尔滨工业大学教授

罗鹏 氮矽半导体总经理

13:50-14:10

金刚石半导体器件可靠性新机制

徐跃杭  电子科技大学教授、电子科技大学长三角研究院（湖州）集成电路与系统中心主任

14:10-14:30

高K介质在横向功率器件中的应用

姚佳飞   南京邮电大学南通研究院执行副院长姚佳飞

14:30-14:50

新型功率半导体器件在新基建中的应用

林书勋  成都海威华芯科技有限公司生产总监

潘岭峰 莱普科技副总经理

14:50-15:10

用于功率转换系统的氮化镓单片集成

刘 雯  西交利物浦大学高级副教授

15:10-15:30

肖特基型p-GaN栅HEMT的栅极抗静电鲁棒性

孙佳慧    香港科技大学助理教授 

15:30-15:45

Coffee Break/茶歇

15:45-16:05

如何使GaN功率器件如Si MOSFET一样简单易用？

魏 进   北京大学研究员

黄义  重庆邮电大学教授

16:05-16:25

基于化合物半导体异质结的高性能器件设计与制备

巫 江 电子科技大学基础与前沿研究院副院长

16:25-16:45

应用于工业及汽车市场的GaN功率器件制造技术

刘  成  湖南三安半导体有限责任公司 研发经理

16:45-17:00

氮化镓功率器件与工业级应用前景

唐高飞   云镓半导体技术总监

明鑫 电子科技大学教授

17:00-17:15

低损耗高耐压Si基GaN双向阻断功率器件研究

王方洲   松山湖材料实验室工程师

17:15-17:30

氧化镓垂直功率半导体器件

徐光伟 中国科学技术大学研究员

17:30-17:45

高压大功率氧化镓晶体管研究

王晨璐  西安电子科技大学博士后

17:45- 18:00

氢处理p-GaN栅器件开发与单片集成电路共设计流程

李  帆  西交利物浦大学 

4 月28日 8:30-12:00

分论坛2：高压器件设计、集成及封装应用

8:30-8:50

碳化硅MOSFET研究进展及面临的挑战

金  锐   北京智慧能源研究院功率半导体研究所所长

邓小川

电子科技大学

8:50-9:10

SiC MOSFET 过流保护技术分析与研发

程新红   中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员

9:10-9:30

硅基超结-功率半导体More silicon发展的主力器件

章文通    电子科技大学教授

9:30-9:50

碳化硅功率器件的辐射效应及抗辐射技术

黄铭敏    四川大学副教授

9:50-10:10

碳化硅MOSFET动态阈值漂移

蒋华平    重庆大学教授   

10:10-10:25

茶歇-Coffee break

10:25-10:55

高功率密度高压DC方案改善算力系统配电效率

代高强    成都复锦功率半导体技术发展有限公司研发副总裁

王德君 大连理工大学教授

10:55-11:15

IGBT的技术演进与未来发展趋势

张金平    电子科技大学研究员

11:15-11:35

先进键合集成技术与应用

母凤文   北京青禾晶元半导体科技有限责任公司董事长  

11:35-11:55

在功率变换器中电流检测的挑战

严颖怡    电子科技大学教授    

11:55-12:10

基于多层级多场域的压接型IGBT模块失效演化机制研究

刘人宽  电子科技大学博后

12:00-13:30  午餐自助

13:30-13:50

SiC半导体表界面缺陷及MOS器件可靠性

王德君   大连理工大学教授  

张金平 电子科技大学研究员

13:50-14:10

碳化硅先进封装及全铜化技术

叶怀宇    南方科技大学副教授

14:10-14:30

3C/4H-SiC异构结场效应器件的构建和模拟

韦文生    温州大学教授

14:30-14:50

高可靠性车载sic功率器件是高质量国产替代的关键

高  巍    蓉矽半导体副总经理    

叶怀宇    

南方科技大学副教授

14:50-15:10

SiC MOSFET浪涌可靠性的研究

何艳静    西安电子科技大学副教授

15:10-15:25

光控型SiC功率器件的理论与实验研究

王 曦   西安理工大学自动化与信息工程学院 院长助理

15:25-15:40

Coffee Break/茶歇

15:40-16:00

基于傅里叶乘法特性的高可靠性无半桥直流无刷电机驱动电路研究

李俊宏  电子科技大学集成电路科学与工程学院 副教授

程新红

中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员

16:00-16:20

碳化硅功率MOSFET器件及其可靠性研究

魏家行  东南大学集成电路学院副教授

16:20-16:40

基于工艺的IGBT动静态参数TCAD建模研究

刘  盼   复旦大学副教授，上海碳化硅功率器件工程技术研究中心副主任

16:40-17:00

SiC功率模块封装烧结互连技术

刘 洋   哈尔滨理工大学教授

17:00-17:15

碳化硅MOSFET的第三象限特性研究

李 旭   电子科技大学博士生  

17:15-17:30

SiC MOS器件偏压温度应力可靠性劣化的缺陷物理机制

崔鹏飞   大连理工大学

17:30-17:45

集成4H-SiC/Si空穴控制结和半超结的FS-IGBT

汪子盛   温州大学