由浙江大学、浙江大学杭州国际科创中心牵头，联合工业与信息化部电子第五研究所、广东工业大学、电子科技大学、南京大学、佛山市联动科技股份有限公司、佛山市国星光电股份有限公司、西交利物浦大学、香港科技大学等单位起草的标准T/CASAS 034—202X《用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法》、T/CASAS 035—202X《用于第三象限续流的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法》已完成征求意见稿的编制，两项标准征求意见稿按照CASAS标准制定程序，反复斟酌、修改、编制而成，起草组召开了多次正式或非正式的专题研讨会。根据第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化工作管理办法，2024年4月1日起开始征求意见，截止日期2024年5月1日。
T/CASAS 034—202X《用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法》描述了用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）动态导通电阻测试方法。适用于进行GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。
T/CASAS 035—202X《用于第三象限续流的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法》描述了用于第三象限续流模式（包括硬关断和零电流关断）的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）电力电子动态导通电阻测试方法。适用于进行GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。
诚挚地邀请具有GaN HEMT动态导通电阻相关测试数据的单位共同讨论，支撑标准的完善、实施应用。
征求意见稿文本请联盟成员单位关注联络邮箱，非会员单位可发邮件至casas@casa-china.cn。
