碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在系统中应用时，会面临系统不稳定时，在漏极产生的大电流，在这个反向大电流的作用下，器件特性会退化，甚至会失效，因此展开这种极端应力（单次/重复电流冲击）对器件的特性影响的研究是进一步提高器件可靠性的必要途径，同时对器件在单次和重复浪涌应力下器件特性退化失效机制，浪涌过程中电热耗散路径分析、结构和工艺参数对浪涌能力的影响等问题的研究也是提高器件浪涌能力必须要解决的问题。
4月26-28日，“2024功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2024）”将于成都召开。西安电子科技大学副教授何艳静受邀将出席会议，并做《SiC MOSFET浪涌可靠性的研究》的主题报告，将分享最新研究成果。其研究对比研究了不同结构的SiC MOSFET器件在不同栅极电压下，单次和重复浪涌应力下器件特性的变化，分析了器件浪涌过程中电热耗散路径，分析结构设计和工艺参数对浪涌能力的影响，为SiC功率器件提高浪涌能力在芯片设计上提供优化方法。
何艳静，副教授，硕士生导师。2018年获得西安电子科技大学微电子学与固体电子学博士学位，2019年留校工作。主要从事SiC基功率器件设计、工艺研发、器件制作及相关可靠性问题的研究，从2012年起一直从事SiC MOSFET器件的设计关键工艺及流片制备的研究，设计制备1200 V 5-150 A，1700 V 5-40 A，3300 V 1-30 A等多个系列预研产品，开发多个SiC MOSFET器件相关的关键工艺。主持过国家自然科学基金青年基金，广东省自然科学基金青年基金，广州市重点研发计划；作为主要成员参与并完成了国家科技重大专项 、教育部支撑计划等项目。近年来在Journal of alloys and compounds IEEE Electron Device Letters等国内外重要期刊和会议上发表论文15余篇，申请专利40余项。
会议信息
“2024功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2024）是在电子科技大学和第三代半导体产业技术创新战略联盟指导下，极智半导体产业网联合电子薄膜与集成器件国家重点实验室、成都信息工程大学、电子科技大学集成电路研究中心、第三代半导体产业于2024年4月26-28日共同主办”，论坛会议内容将涵盖宽禁带碳化硅和氮化镓为代表的高压及低压等电力电子器件、功率集成电路、封装等几大主题，将覆盖晶圆造、芯片设计、芯片加工、模块封装、测试分析、软件工具、设备制造、整机应用等产业链各环节。
会议时间：2024年4月26-28日
会议地点：四川·成都·成都金韵酒店六层
组织机构：
指导单位：
电子科技大学
第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
主办单位：
电子薄膜与集成器件全国重点实验室
成都信息工程大学
电子科技大学集成电路研究中心
极智半导体产业网（www.casmita.com）
第三代半导体产业
承办单位
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
协办支持：
成都氮矽科技有限公司
程序委员会：
大会主席：张波
程序委员会主席：罗小蓉
副主席：赵璐冰 周琦
程序委员会：邓小川 龙世兵 王来利 明鑫 杨树 刘斯扬 郭清 魏进 金锐 周春华 刘成 蒋其梦 高巍 包琦龙 潘岭峰 叶怀宇 刘雯 张召富 李虞锋 魏杰等
二、主题方向
主题方向：
1.硅基功率器件与集成技术
高压硅基功率器件（>200 V）、器件仿真与设计技术、器件测试表征技术、器件可靠性、器件制造技术、低压硅基功率器件（≤200 V）、可集成功率器件
2.氮化镓、III/V族化合物半导体功率器件与功率集成
氮化镓功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半导体功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术
3.碳化硅、氧化镓/金刚石功率器件与集成技术
碳化硅功率器件、氧化镓/金刚石功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术
4.模组与封装技术
功率器件、模组与封装技术、先进封装技术与封装可靠性
5.功率集成电路设计
功率集成IC设计、宽禁带功率器件驱动IC、功率集成电路测试技术、功率集成工艺平台与制造技术
6.面向功率器件及集成电路的核心材料及装备
核心外延材料、晶圆芯片及封装材料、退火、刻蚀、离子注入、封装、检测及测试设备等
三、会议日程（拟定）
时间：2024年4月26-28日
地点：成都金韵酒店六楼 四川省成都市金牛区金府路668号
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时间 |
主要安排 |
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4月26日 |
注册 报到 |
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4月27日 |
09:00-17:00 |
报到&资料领取 |
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13:30-17:30 |
开幕大会及主旨报告 |
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18:00-21:00 |
欢迎晚宴 |
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4月28日 |
08:30-12:00 |
分论坛1：高压功率与集成（TBD） |
分论坛2：器件仿真设计与制造（TBD） |
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12:00-13:30 |
午餐&交流 |
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13:30-17:30 |
分论坛3：低压功率与集成（TBD） |
分论坛4：模块封装及应用（TBD） |
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18:30-20:30 |
晚餐&结束 |
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4月29日 |
08:30-12:00 |
商务考察活动&返程 |
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备注：仅供参考，以现场为准。 |
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拟参与单位：
电子科技大学、成都信息工程大学、中芯国际、三安半导体、浙江大学、中国科学技术大学、东南大学、西安电子科技大学、西安交通大学、清华大学、西安理工大学、山东天岳、科友半导体、国星光电、ULVAC、华虹半导体、斯达半导体、蓉矽半导体、阳光电源、扬杰科技、英飞凌、北京大学、厦门大学、中科院半导体所、南京大学、中科院微电子所、长飞半导体、华为、海思半导体、锴威特、基本半导体、中电科四十六所、中电科五十五所、天津大学、华大九天、西门子、博世、三环集团、中科院微电子所、中镓半导体、日立、江苏宏微、苏州晶湛、百识电子、国家电网、华大半导体、意法半导体、中博芯、西安爱科赛博 、小鹏汽车、复旦大学、东莞天域、比亚迪半导体、西安西驰电气、理想汽车、英诺赛科、士兰微、芯迈半导体、中国科学院电工所、立昂微电子、长川科技、众硅电子、莱普科技、海威华芯、麦科信、安徽大学、云镓半导体、高芯（河南）半导体……
活动参与：
注册费2800元，4月18日前注册报名2500元（含会议资料袋，27日欢迎晚宴、28日自助午餐、晚餐）。
2、缴费方式
①银行汇款
开户行：中国银行北京科技会展中心支行
账 号：336 356 029 261
名 称：北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
②移动支付
备注：通过银行汇款/移动支付，请务必备注：单位简称+姓名+成都，以便后续查询及开具发票。若需开具发票请将报名信息、转账凭证及开票信息发送至邮箱:lilyli@china-led.net。
③现场缴费（接受现金和刷卡）
报告及论文投稿联系：
贾先生18310277858，jiaxl@casmita.com
白女士18888840079，bailu@casmita.com
参会及商务合作：
贾先生 18310277858，jiaxl@casmita.com
张女士 13681329411，zhangww@casmita.com
段先生 13717922543，duanpf@casmita.com
协议酒店：
酒店名称：成都金韵酒店（成都金府路668号）
联系人 何经理 13548180263，2569807009@qq.com
协议价格：400 元/每晚（含早）
