ASML High-NA EUV光刻机取得突破,成功印刷10nm线宽图案

日期:2024-04-18 阅读:297
核心提示:据外媒,4月18日消息,荷兰阿斯麦 (ASML) 公司宣布,其首台采用0.55数值孔径 (NA) 投影光学系统的高数值孔径 (High-NA) 极紫外 (

 据外媒,4月18日消息,荷兰阿斯麦 (ASML) 公司宣布,其首台采用0.55数值孔径 (NA) 投影光学系统的高数值孔径 (High-NA) 极紫外 (EUV) 光刻机已经成功印刷出首批图案。这一突破是ASML公司以及整个高数值孔径EUV光刻技术领域的一项重大里程碑。

ASML在声明中表示,其位于埃因霍芬的高数值孔径 EUV 系统首次印刷出 10 纳米线宽(dense line)图案。此次成像是在光学系统、传感器和移动平台完成粗调校准后实现的。接下来将致力于让系统达到最佳性能表现,并最终在现实生产环境中复制这一成果。

据悉,ASML 配备 0.55 NA 镜头的新型 Twinscan EXE:5200 型光刻机能够实现 8nm 的超高分辨率,可在2nm及以下节点芯片的制造领域占据明显优势。

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