北京大学取得AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法专利，显著提升器件的光输出功率

 据国家知识产权局公告，北京大学取得一项名为“一种AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法“，授权公告号CN114373837B，申请日期为2021年11月。

专利摘要显示，本发明涉及化合物半导体光电子器件领域，尤其涉及一种高性能AlGaN基深紫外发光二极管器件(LED)的器件结构及其制备方法。本发明所述的AlGaN基深紫外发光二极管器件结构具有V形立体pn结注入结构。所述V形立体pn结注入结构是通过在AlGaN基量子阱部分的V形腐蚀坑的侧壁的半极性面上进一步形成AlGaN电子阻挡层(EBL)、pAlGaN和pGaN接触层而形成的。该V形立体pn结注入结构改变了目前广泛使用的在(0001)面蓝宝石衬底上生长的AlGaN基深紫外LED中空穴只能沿着[0001]方向注入这一固有限制，从而有效解决空穴迁移能力不足导致的注入效率低下的问题，显著提升LED器件量子阱中空穴浓度和均匀分布，进而提升器件的光输出功率，同时有效解决了大电流注入下的Droop效应问题。