2024年4月8-11日，一年一度化合物半导体行业盛会——2024九峰山论坛暨中国国际化合物半导体产业博览会（简称“JFSC＆CSE”）将于武汉光谷科技会展中心举办。芯三代半导体科技（苏州）股份有限公司将携新品亮相本届盛会，诚邀业界同仁莅临3T26展台参观、交流合作。
本届CSE博览会由第三代半导体产业技术创新战略联盟、九峰山实验室共同主办，以“聚势赋能 共赴未来”为主题，将汇集全球顶尖的化合物半导体制造技术专家、行业领袖和创新者，采用“示范展示+前沿论坛+技术与商贸交流”的形式，为产业链的升阶发展搭建供需精准对接平台，助力企业高效、强力拓展目标客户资源，加速驱动中国化合物半导体产业链的完善和升级。
CSE作为2024年首场国际化合物半导体产业博览会得到了多方力量的大力支持，三大主题展区，六大领域，将集中展示各链条关键环节的新技术、新产品、新服务，将打造化合物半导体领域的标杆性展会。助力打造全球化合物半导体平台、技术、产业的灯塔级盛会，集中展示化合物半导体上下游全产业链产品，搭建企业发布年度新产品新技术的首选平台，支撑产业链及中部地区建设具有全球影响力的万亿级光电子信息产业集群。
芯三代半导体科技（苏州）股份有限公司是一家根植本土，拥有全球高端人才和自主知识产权的尖端半导体芯片制造设备公司，致力于建立以中国为基地、世界领先的泛半导体产业关键设备和核心技术平台。公司目前聚焦碳化硅SiC等高端核心第三代半导体装备，倾心倾力为客户提供最适合大规模量产的高性能和稳定的装备和先进技术方案。并将扩展到泛半导体设备，打造泛半导体设备产业航空母舰，树立全球半导体企业标杆!
产品介绍
产品名称：大规模量产型碳化硅外延生长设备（SiC-CVD）
产品型号：SiCCESS
系列单双腔垂直流设备
产品参数：
（1）产能：≥1000片/月；通过工艺优化，可超过1200片/月
（2）外延规格：6吋（兼容8吋）
（3）温区：多区控温
（4）气流模型：多区可调喷淋
（5）旋转速度：0-1000转/分钟
（6）最高外延生长速率：≥60微米/小时
（7）片内厚度均匀性：≤2%（可优化到1%以内，δ/平均值，EE5mm）
（8）片内浓度均匀性：≤3%（可优化到2%以内，δ/平均值，EE5mm）
性能说明/产品特点：设备拥有完全独立的自主知识产权，具有独创的进气方式、垂直气流和温场控制技术，辅以全自动上下料（EFEM）系统和高温传盘等手段，实现了全球领先的技术指标和卓越的性能，填补了国内碳化硅产业的空白，在高产能、6/8吋兼容、CoO成本、长时间多炉数连续自动生长控制、低缺陷率、维护便利性和可靠性等方面都具有明显的优势。
值此之际，我们诚邀业界同仁共聚本届盛会，莅临展位现场参观交流、洽谈合作。
关于JFSC&CSE 2024
