据国家知识产权局公告，广电计量检测集团股份有限公司申请一项名为“SiCMOSFET体二极管双极退化试验方法及装置“，公开号CN117761495A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种SiC MOSFET体二极管双极退化试验方法及装置，属于SiC功率半导体器件技术领域。本发明在常温及高温下重复短脉冲电流功率循环，并对比静态特性，进行双极退化研究，克服了直流电流应力功率循环的局限性，控制简单，可靠性强，试验期间无持续的热量积累，避免了热失控，对封装的特性无影响，可在高温环境中进行，提高了老化效率，加速了双极退化，为研究SiC双极型功率器件在高温下的双极退化机理与SiC材料位错缺陷提供了一种新的退化手段，对SiC双极型功率器件长期可靠性的研究具有重要意义，可为SiC双极型功率器件的研制提供指导。
