2024年4月9-11日，一年一度化合物半导体行业盛会——2024九峰山论坛暨中国国际化合物半导体产业博览会（简称“JFSC＆CSE”）将于武汉光谷科技会展中心举办。杭州富加镓业科技有限公司作为参展商将携新品亮相本届盛会，诚邀业界同仁莅临1T45展台参观、交流合作。
本届CSE博览会由第三代半导体产业技术创新战略联盟、九峰山实验室共同主办，以“聚势赋能 共赴未来”为主题，将汇集全球顶尖的化合物半导体制造技术专家、行业领袖和创新者，采用“示范展示+前沿论坛+技术与商贸交流”的形式，为产业链的升阶发展搭建供需精准对接平台，助力企业高效、强力拓展目标客户资源，加速驱动中国化合物半导体产业链的完善和升级。
CSE作为2024年首场国际化合物半导体产业博览会得到了多方力量的大力支持，三大主题展区，六大领域，将集中展示各链条关键环节的新技术、新产品、新服务，将打造化合物半导体领域的标杆性展会。助力打造全球化合物半导体平台、技术、产业的灯塔级盛会，集中展示化合物半导体上下游全产业链产品，搭建企业发布年度新产品新技术的首选平台，支撑产业链及中部地区建设具有全球影响力的万亿级光电子信息产业集群。
杭州富加镓业科技有限公司成立于2019年12月31日，是杭州光学精密机械研究所注册成立的第一家“硬科技”企业，并于2023年获得国家高新技术企业认定。主要从事氧化镓单晶材料生长、氧化镓衬底及外延片研发、生产和销售工作，产品可应用于微波电子、电力电子等各领域内。目前公司共获得35项国内授权专利，其中发明专利已授权10项，实用新型专利已授权25项；软件著作已授权2项，商标已授权1项。
产品介绍
2寸/4寸氧化镓晶圆
利用导模法(EFG)生长的 UID 及锡掺杂 Ga2O3晶体(100),加工得到 2 英寸 /4 英寸氧化镓晶圆。
氧化镓外延片（MBE）
基于分子束外延(MBE),在半绝缘的Fe 掺杂 Ga2O3 (010)衬底上生长 Sn 摻 Ga2O3同质外延薄膜。
氧化镓外延片（MOCVD）
基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)，在导电型 Sn 掺杂 Ga203 衬底上生长Ga2O3同质外延膜。
值此之际，我们诚邀业界同仁共聚本届盛会，莅临展位现场参观交流、洽谈合作。
关于JFSC&CSE 2024
