2024年4月9-11日，一年一度化合物半导体行业盛会——2024九峰山论坛暨中国国际化合物半导体产业博览会（简称“JFSC＆CSE”）将在武汉光谷科技会展中心举办。 第三代半导体设备供应商山东晶升电子科技有限公司将携新品亮相本届盛会，诚邀业界同仁莅临A302号展台参观、交流合作。
本届CSE博览会由第三代半导体产业技术创新战略联盟、九峰山实验室共同主办，以“聚势赋能 共赴未来”为主题，将汇集全球顶尖的化合物半导体制造技术专家、行业领袖和创新者，以及从芯片设计、晶圆制造、封装测试、材料和设备到核心部件领域企业参展，采用“示范展示+前沿论坛+技术与商贸交流”的形式，为产业链的升阶发展搭建供需精准对接平台，助力企业高效、强力拓展目标客户资源，加速驱动中国化合物半导体产业链的完善和升级。
山东晶升电子科技有限公司坐落于泉城济南，是一家专注于宽禁带半导体装备研发和生产的国家级高新技术企业，研发范围覆盖半导体装备研制、长晶工艺，已形成系列自主知识产权，实现先进技术自主可控。致力成为行业宽禁带半导体关键装备供应商，并在济南市长清区建设了宽禁带半导体装备制造场地。企业已顺利申请下2019年知识产权贯标，2019-2023年连续入库济南市科技型中小企业名单，2021被评为国家级高新技术企业，2022年通过GB/T9001-2016质量管理体系认证。 2023年成为中国电子材料行业协会新成员。主要推广产品为第三代、第四代半导体高端装备，PVT晶体生长炉、电阻法晶体生长炉、液相法晶体生长炉、HVPE氢化物气相外延炉（氮化镓）、LPE氮化物高压晶体生长炉、HVPE卤化物气相外延炉（氧化镓）、导模法晶体炉、氧化镓垂直布里奇曼晶体生长炉。
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产品介绍
PVT-SiC-400晶体炉：6/8英寸；
产品特点：
·适用于6，8英寸，导电/高纯半绝缘型SiC晶体生长。
·适用于长时间，高质量，规模型晶体生长。
·拥有高精度的控温、控压能力，工艺性能优良，设备一致性好，具有丰富的量产经验。
·可选恒功率、恒电流、恒温工作模式；
·一键智能启动，减少人工干预，利于规模化生产；
·紧凑立体化的整机设计，方便布局，提高厂房利用率；
·采用高精度蝶阀和质量流量计控制炉内长晶压力，提供稳定的长晶气氛。尤其在晶体生长压力下最高可达到±1Pa的控压精度。
氮化镓高压助熔剂晶体生长设备：2/4/6英寸；
产品特点：
·Na助熔剂液相外延生长2-4 英寸GaN晶片，也可用于高压助熔剂法探索新型氮化物晶体;
·助熔剂法(Na Flux method)生长氮化镓(GaN)单晶具有诸多优势，是目前国际上公认的可实现高质量、大尺寸氮化镓体单晶产业化生产的生长技术之一。由于氮化镓单晶的生长体系(如下简称“生长体系”)一般采用含有金属钠和金属镓的黏性液相金属和氮气作为生长源，在生长过程中，于气液界面处氮源首先达到过饱和，形成氮化镓多晶壳层，导致外部氮气在气液界面处被阻断，从而导致生长体系氮源供给中断，进而使生长体系中的氮化镓籽晶停止液相外延生长；形成的氮化镓多晶壳层一方面阻断体系氮源供给，另一方面消耗体系中金属镓源。因此，有效抑制生长体系中这种多晶的形成已经成为该生长技术中的关键难点之一;
·双温区加热，最高使用温度1000℃，最高压力9Mpa;
·氮气溶解速度快，分布均匀，生长速度可达30um/h;
·可外延生长高结晶质量和低位错密度的单晶;
HVPE氢化物气相外延设备：2/4/6英寸；
水平HVPE
立式HVPE
产品特点：
·高的生长速率。
·横向纵向生长比率高,孔洞少，可以生长大面积厚膜。
·单晶生长速率：≥50微米/小时。
·蓝宝石衬底外延生长氮化镓（GaN）单晶层厚度：>1mm。
·产品尺寸：2/4/6英寸。
值此之际，我们诚邀业界同仁共聚本届盛会，莅临展位现场参观交流、洽谈合作。
关于JFSC&CSE 2024
