复旦大学宁波研究院宽禁带半导体材料与器件研究所（以下简称“宽禁带所”）由复旦大学宁波研究院联合复旦大学工程与应用技术研究院共同组建，聚焦SiC功率半导体材料缺陷表征、器件设计、器件制造工艺、封装工艺开发等主要方向，以市场需求为导向，技术创新研发为动力，高端人才培养为支撑，采用政府引导、高校支撑、企业联合研发、全产业链协同的政产学研相结合的模式，重点突破SiC材料与器件关键共性技术及先进制造工艺，联合上下游建立虚拟IDM模式，为宁波SiC优势产业集群的形成提供强有力支撑。
宽禁带所建设总投入约4.6亿元，主要用于器件工艺研发与中试线、先进封装研发线、测试及可靠性平台的设备采购、能力建设和日常运营管理等。接下来将按照国家级和省级重点实验室标准，加快建设面向前瞻研究与成果转化、具备国际领先水平的碳化硅半导体材料与器件高水平研发平台，力争成为国家级碳化硅半导体技术研发中心，打造宁波“碳化硅谷”。
招聘岗位
博士后研究人员
工作地点：宁波前湾新区
招聘方向：
1）宽禁带半导体材料生长与缺陷表征技术；
2）宽禁带半导体功率器件设计、先进制造工艺及器件可靠性评价；
3）超宽禁带半导体材料、器件及工艺研究；
4）高频高功率先进封装技术与可靠性测试。
招聘要求：
1）符合复旦大学宁波研究院博士后基本申请条件。已获得微电子、电力电子器件与应用、半导体物理与材料、半导体制造装备、材料科学与工程、电气工程、化学等相关专业的博士学位（或者将在6个月内取得博士学位证书的应届博士毕业生）。年龄原则上不超过35周岁，在站期间全职从事博士后研究工作；
2）在攻读博士期间取得较好的研究成果，具有扎实的理论基础和较强的动手实践能力，能独立开展研究工作，并具有优秀的团队合作精神，尤其是从事交叉性学科研究的能力。入站前3年具有代表性科研成果，包括但不限于高水平论文、新产品、新工艺、重大咨询报告、发明专利、标准、科技奖励等形式；
3）具有良好的英语读写能力，可以独立撰写研究论文；热爱科研，具有较强的实验和数据分析能力，有良好的沟通、表达能力和团队合作精神；具有功率半导体领域出色研发经历者将获得优先考虑。
薪酬及福利待遇
1、原则上税前年薪不低于40万元（含地方政府人才补助），具体面议；
2、可享受宁波市、前湾新区政府相应人才政策；
3、对获得中国博士后科学基金资助和省级博士后科研项目资助的，宁波市及相关区域财政给予相应配套资助；
4、提供宁波前湾新区人才公寓；
5、提供一流的实验与科学研究条件；
6、课题组将根据工作能力和表现，提供额外奖励，具体面议；除薪资之外，将根据研究贡献、论文发表、基金项目等给予可观的绩效奖励，特别优秀者待遇面议；
7、在站期间，符合条件的博士后研究人员可申报研究院相关系列高级专业技术职务；表现优秀、业绩突出者，如符合要求，可优先推荐申请研究院青年优才计划。
个人培养
博士后研究人员由复旦大学宁波研究院与复旦大学联合培养。我们将为博士后研究人员提供如下支持：
1）推荐申报各类人才资助项目，包括但不限于全国博新计划；
2）推荐并指导申报中国博士后基金，并申请其他国家级、浙江省和宁波市相关基金项目；
3）提供专业技能培训，服务职业发展；
4）推荐优秀博士后到国际顶会、国内外顶级名校进行学术交流。
合作导师及研究方向
一、张清纯教授
复旦大学宁波研究院宽禁带半导体材料与器件研究所所长。现任复旦大学特聘教授、博士生导师，上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任，清纯半导体董事长，专长于宽禁带半导体物理与器件的教学、科研、应用与产业化，长期从事SiC器件的研发和产业化，是该领域国际知名专家。迄今已撰写100余篇科技论文和SiC器件领域专著；多次受邀在国际碳化硅、功率半导体的学术会议上作大会报告；作为第一和合作发明人，拥有100多项美国及国际专利；多次担任ISPSD技术委员会成员和碳化硅器件分会主席；曾任国际电力电子技术路线图研讨会联合主席等。
二、雷光寅博士复旦大学宁波研究院宽禁带半导体材料与器件研究所副所长。现任复旦大学研究员、博士生导师，清纯半导体首席科学家，曾在美国著名电力电子研究中心（CPES）和福特汽车研究中心长期学习和工作，参与了高新纳米材料的开发、高功率密度半导体功率模块设计以及高性能新能源汽车电机控制器的研发项目，在多个领域做出了开拓性的原创工作。发表高水平学术期刊论文30余篇，其中高引数量17篇；作为第一或合作发明人，至今共取得超过40项美国及中国发明专利。2018年度入选第八届上海QR（创新长期）。
三、刘冉教授复旦大学宁波研究院特聘研究员。现任复旦大学信息科学与工程学院教授、博士生导师、教育部长江学者。主要从事半导体技术、集成电路制造工艺、微纳电子/光电子和柔性电子材料与器件的研究。发表SCI论文300余篇，其中有一篇论文被“The Scientists”评为1988年国际物理界最热门文章，另一篇被美国材料学会列为其2002年所有会议论文集文章的下载之最。主持过多项国家科技部973、863和国家基金委等项目以及欧洲第7框架等国际合作项目。
四、樊嘉杰博士复旦大学宁波研究院宽禁带半导体材料与器件研究所学术带头人。现任复旦大学青年研究员、博士生导师。长期从事宽禁带半导体封装及可靠性研究。迄今发表学术论文110余篇，近5年以第一作者和通讯作者在Laser Photonics Rev., Corrosion Science, IEEE TPEL/TED/EDL等高质量期刊上发表论文30余篇；申请/授权专利20余项。作为负责人承担或学术骨干参与国家“863”计划重点项目/课题、国家自然科学基金、上海市科技计划等。获“江苏省科学技术三等奖”、“国际半导体照明联盟突出贡献奖”、IEEE高级会员、全国“第三代半导体卓越创新青年”、上海市“浦江人才（D特殊急需类）”。
应聘程序
应聘者请将个人简历、代表性成果、工作设想和2封推荐信等相关材料发至huangjuanjuan@fudannb.com（黄老师），邮件主题请注明“应聘博士后-研究方向-姓名”。
研究院将对应聘者简历进行初筛，并推荐合作导师，对满足申请条件与研究需要的应聘者通知面试，面试通过后进行背调与资格审查，经研究院最终批准后，通知应聘者提交进站申请和正式书面材料。未通过者，不再另行通知。
我单位承诺对应聘者提交的所有材料严格保密。应聘者须对提供的所有材料的真实性负责。
联系人：黄老师
联系方式：15867361526
所长寄语
张清纯
复旦大学特聘教授
复旦大学宁波研究院宽禁带所所长
宽禁带半导体即第三代半导体（SiC和GaN）是支撑新能源汽车、高速列车、能源互联网、新一代移动通信等产业自主创新发展和转型升级的重点核心材料和电子元器件，契合节能减排、智能制造、信息安全等国家重大战略需求，被列为国家科技创新2030重大项目“重点新材料研发及应用”重要方向之一。我国在第三代半导体应用领域有战略优势，有机会实现核心技术突破和产业战略引领，在国际竞争中抢占先机，重塑全球新兴半导体产业格局。
碳化硅(SiC)作为新兴的第三代半导体材料，具有更宽的禁带宽度、更高的击穿场强、更高的热导率等优异性能，是第三代半导体的主要方向，成为继以Si、Ge等材料为主的第一代半导体以及GaAs、InP等化合物材料为主的第二代半导体后的又一重要突破，已在光电子、功率、微波等方向得到广泛应用。
我的职业生涯亲历了SiC半导体材料从萌芽到产业化，见证了SiC器件从小众到主流的整个历程，积极参与和推动了SiC半导体技术的发展。技术进步没有止境，SiC半导体材料和器件的不断迭代仍需要从根本上研究解决诸如材料生长与缺陷形成机制、MOS沟道迁移率、器件及系统可靠性等重大基础科学问题，亟需发展创新关键技术、形成自主知识产权，为SiC半导体产业的快速发展、技术升级提供有力支撑和保障。
热忱欢迎有志于从事第三代半导体领域科技研发和成果转化事业的优秀博士后人才加入研究院团队，共同推动宽禁带半导体技术发展！
(来源：复旦大学宁波研究院 )
