3月11日，据“百识电子”官微消息，他们于近日完成了A+轮融资，将加速耐高压、大尺寸第三代半导体外延布局。
据介绍，百识电子目前可提供6英寸及8英寸的SiC/GaN外延片，其3300V碳化硅外延片已实现高良率高质量生产，产品厚度均匀性1.18%，浓度均匀性1.32%，并稳定出货全球轨交头部客户；正在攻克超高耐压（6500V及以上）外延技术，缺陷控制已达国际先进水平。
资料显示，2022年1月，百识电子的第三代半导体外延项目签约落户江苏南京，项目总投资10亿元，分二期建设，一期项目产能15万片，主要生产碳化硅及氮化镓相关外延片。
百识电子董事长李屏表示，目前南京厂量产顺利，二期产线也在积极落地中。
