比亚迪半导体申请终端结构及其制造方法以及功率器件专利,能够提高耐压值

日期:2024-03-08 阅读:246
核心提示:据国家知识产权局公告,比亚迪(002594)半导体股份有限公司申请一项名为终端结构及其制造方法以及功率器件,公开号CN117673117A

据国家知识产权局公告,比亚迪002594)半导体股份有限公司申请一项名为“终端结构及其制造方法以及功率器件“,公开号CN117673117A,申请日期为2022年8月。

专利摘要显示,本发明属于半导体技术领域,特别是涉及终端结构及其制造方法以及功率器件。终端结构包括第一电极层、绝缘介质层、衬底和第二电极层,绝缘介质层、衬底和第二电极层层叠设置,衬底上设置有主结、掺杂场终止环、第一场限环和掺杂层,主结设置在衬底的内侧,掺杂场终止环设置在衬底的外侧,第一场限环环绕主结,掺杂层沿着第一场限环的一侧的外壁延伸至第一场限环的底部;掺杂层的掺杂浓度大于衬底的掺杂浓度。本发明实施例提供的终端结构,掺杂层掺杂浓度大于衬底的掺杂浓度,能够对电场具有牵引作用,从而减轻电场在绝缘介质层表面的集中作用,减小表面电场,提高击穿电压,提高耐压值。

 

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