据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种大尺寸高热导率III族氮化物外延材料的制备方法“，公开号CN117646275A，申请日期为2024年1月。
专利摘要显示，本发明公开了一种大尺寸高热导率III族氮化物外延材料的制备方法，利用功能层和支撑层的键合衬底，先在功能层正面生长多晶金刚石，然后去掉支撑层，在功能层背面生长III族氮化物外延材料，获得多晶金刚石与III族氮化物材料的异质集成结构。III族氮化物、功能层、多晶金刚石三者之间是直接生长成键连接，确保了声子的传播，并充分利用多晶金刚石高热导率的优点提高了整个异质集成结构的热导率；III族氮化物外延材料生长在复合衬底之上，不会受到破坏，保证了其性能；通过选取不同的键合衬底表面，可以控制生长金属极性或氮极性的III族氮化物材料，满足不同领域应用需求。本发明的制备方法对尺寸没有限制，可以实现大尺寸批量化的生产。
