扬杰科技申请高封装功率密度的GaNHEMT器件及其制备方法专利

 据国家知识产权局公告，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种高封装功率密度的GaNHEMT器件及其制备方法“，公开号CN117637475A，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，一种高封装功率密度的GaNHEMT器件及其制备方法。涉及半导体技术领域。包括以下步骤：步骤S100，在外延片上对无源区和n个有源区之间进行离子注入，形成ISO隔离区；步骤S200，在外延片上去除G电极区域外部外延片上的PGaN层，并沉积第一隔离层；步骤S300，外延片上每个有源区内，在D电极区域制备D电极槽，在S电极区域制备S电极槽；步骤S400，在D电极槽内制备D电极，在S电极槽内制备S电极，有源区外制备与D、S电极互联的D、S电极pad金属并沉积第二隔离层；本发明可以在不影响器件栅控能力、不引入额外寄生电感和寄生电阻的情况下，达到提升单个器件通流能力，提高器件大尺寸封装功率密度的优点。