据国家知识产权局公告，比亚迪（002594）半导体股份有限公司申请一项名为“逆导型IGBT功率器件及其制备的方法和电子设备“，公开号CN117637820A，申请日期为2022年8月。
专利摘要显示，本发明提出一种逆导型IGBT功率器件及其制备方法，逆导型IGBT功率器件包括至少一个元胞，元胞包括：第一导电类型的电场区，所述电场区的正面形成有正面结构，所述电场区的背面形成有集电极结构，集电极结构包括第一导电类型的第一集电极层、第二导电类型的第二集电极层、集电极插入层、集电极互连部和集电极，所述集电极插入层位于所述电场区中，所述集电极插入层通过所述集电极互连部与所述第二集电极层连接。本发明的逆导型IGBT功率器件，正向导通时，可以减少电压折回现象，有效抑制负阻效应，提高器件性能。
