据国家知识产权局公告，上海芯导电子科技股份有限公司申请一项名为“TrenchMOSFET器件的自对准的制备方法“，公开号CN117612942A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本发明提供了一种Trench MOSFET器件的自对准的制备方法，包括：提供一衬底，包括若干接触孔区域；在所述衬底上形成若干栅极沟槽、栅极多晶硅层、第一接触孔柱、体区离子注入区、源区离子注入区、栅极氧化层以及层间介质层；以所述层间介质层为掩膜，刻蚀所述第一接触孔柱以及其底部的部分所述体区离子注入区，直至第一深度，并刻蚀部分所述栅极多晶硅层直至第一深度，以在所述接触孔区域与部分所述栅极多晶硅层中形成接触孔。本发明提供的技术方案进一步缩小了接触孔沿沟道方向尺寸。
（来源：金融界）
