天眼查显示，武汉新芯集成电路制造有限公司“半导体器件及其制备方法”专利公布，申请公布日为2024年2月20日，申请公布号为CN117577581A。
本申请提供一种半导体器件及其制备方法。该制备方法包括提供半导体基体，半导体基体包括第一钝化层、设于第一钝化层上的第一金属层以及第二钝化层，第二钝化层覆盖第一金属层，且第二钝化层具有第一开口，第一开口露出第一金属层的至少部分；在第二钝化层背离第一钝化层的一侧表面设置掩膜图案，掩膜图案露出第一开口；在掩膜图案背离第一钝化层的一侧形成第二金属层，第二金属层覆盖掩膜图案、第一金属层的部分和第二钝化层通过掩膜图案露出的部分；去除掩膜图案和位于掩膜图案上的第二金属层，以形成重布线结构。该方法可以有效去除非必要的金属，不会出现金属残留；同时重布线结构的厚度均一性较好，可以有效降低制造成本。
