2月3日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种碳化硅平面栅MOSFET器件及其制备方法“，公开号CN117497597A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种碳化硅平面栅MOSFET器件及其制备方法。在传统平面栅MOSFET器件的JFET区结构上，首先通过刻蚀形成源极沟槽，利用刻蚀掩模，使用常规离子注入在沟槽下形成P型重掺杂区，再通过自对准工艺和倾斜离子注入形成P型基区和源区。相比于传统器件结构和工艺，本发明的平面栅MOSFET器件的P型重掺杂区、P型基区和源区的形成，只需要一次光刻，使用同一个注入掩模，即可完成所有的离子注入工艺，所需要考虑的光刻对准误差更小，次数更低，因此能够具有更窄的P型重掺杂区、P型基区和源区，以缩小器件的元胞宽度，增加器件的沟道密度，降低器件的沟道电阻，而不额外增加器件的JFET电阻。
