近日,又有一家知名厂商旗下8英寸SiC衬底项目迎来新进展。
1月30日,山东中晶芯源半导体科技有限公司(以下简称中晶芯源)8英寸SiC单晶和衬底产业化项目正式备案。据悉,该项目于2023年6月12日落地山东济南,计划在2025年满产达产,成立于2023年5月的中晶芯源是该项目的主建方。
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股东信息显示,中晶芯源由广州南砂晶圆半导体技术有限公司(以下简称南砂晶圆)全资控股,后者成立于2018年8月,从事SiC单晶材料研发、生产和销售,产品主要以6英寸半绝缘和N型SiC衬底为主。
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近年来,在8英寸SiC衬底热度持续上涨趋势下,南砂晶圆积极投身8英寸赛道。2022年9月8日,南砂晶圆联合山东大学成功实现8英寸导电型4H-SiC单晶和衬底的制备,采用物理气相传输法(PVT)扩径制备了8英寸导电型4H-SiC单晶,并加工成厚度520μm的8英寸4H-SiC衬底。
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据介绍,经测试表征,上述衬底微管密度小于0.3/cm2,4H-SiC晶型比例100%,电阻率平均值22mΩ?cm,不均匀性小于4%,衬底(004)面高分辨XRD 5点摇摆曲线半峰宽平均值32.7弧秒,说明衬底具有良好的结晶质量,边缘扩径区域没有小角度晶界缺陷。
技术突破也在一定程度上助推南砂晶圆成为资本市场重点关注对象,过去两年多时间,南砂晶圆已相继完成5轮融资,包括今年1月刚刚完成的C轮融资,投资方包括华民基金、天堂硅谷、华讯方舟基金、扬子江基金、鲁信创投等机构。
项目方面,南砂晶圆还在广州南沙区布局了SiC项目,总投资9亿元,该项目2023年4月已经试投产,达产后年产各类衬底片和外延片共20万片。
项目备案意味着南砂晶圆8英寸SiC单晶和衬底项目正式启动,随着项目建成达产,将有利于南砂晶圆未来在SiC衬底全面转型8英寸后抢占先机。
来源:集邦化合物半导体