从湖南六建华西公司官微获悉：2024年1月23日，华西公司三安半导体碳化硅衬底项目B1栋顺利封顶！
此项目总体分为两个项目标段，总面积约5.8万㎡，合同工期仅为8个月，项目于2023年11月15日正式进场施工。
重庆三安半导体碳化硅衬底项目（生活服务设施区）总建筑面积：2.08万㎡，建筑最高高度：26.20米，B1、B2栋6层框架结构，B3栋为7层框架结构，B4栋6层框剪结构。
安意法半导体8英寸碳化硅外延、芯片项目（生活服务设施区）总建筑面积：3.7万㎡，建筑最高高度41.10米，A1、A2栋6层框架结构，A3、A4栋12层框剪结构，C1栋3层框架结构。
据悉，该项目业主方为“三安意法半导体(重庆)有限公司”，是我国芯片行业第一个8英寸衬底项目，不仅是建投六建进驻三安光电公司的首个项目，也是闯进重庆市高新区市场的首个项目。一方面为深入挖掘三安光电公司体系内的其他项目奠定基础，也为拓展其他同类型项目提供了借鉴；另一方面为进一步打开重庆市高新区市场树立了品牌，有助于进一步提升公司的市场竞争力。
项目建成后将成为重庆市半导体行业发展的新标杆、新名片，进一步推动中国半导体产业的发展。
