天岳先进：持续进行碳化硅单晶基础研究以提高晶体生长效率和质量

 天岳先进在回答投资者提问时表示，碳化硅单晶作为新兴半导体材料，面临碳化硅衬底制备难度大，技术门槛高等问题，截至目前国际上仍只有少数企业掌握衬底规模化生产能力，是产业链的核心关键环节。由于目前产业化制备方法，碳化硅大规模生产存在晶体缺陷控制难度大的问题，目前公司对缺陷的表征方法和控制手段进行基础研究，以持续提高晶体生长效率和质量。同时为继续保持在全球技术和产品竞争中的领先优势，公司在前瞻技术研发布局上持续加大投入，未来，公司将不断紧跟产业趋势和技术前沿，持续夯实技术领先优势，聚焦碳化硅衬底精耕细作，努力争取在技术层面实现持续突破和进步。