高功率半导体单管芯片作为激光器核心元器件，其功率大小是决定激光系统体积和成本的关键因素。经过多年的技术迭代，2023年激光器商用芯片的功率已达到50W。目前，更高功率的芯片仍然是行业内追逐的焦点，代表着芯片综合技术能力的发展水平。
1月27日，长光华芯宣布其超高功率单管芯片在结构设计与研制技术上取得突破性进展，研制出的单管芯片室温连续功率超过100 W（芯片条宽 500 μm），工作效率62%。据了解，这是迄今为止已知报道的单管芯片功率最高水平记录，开启了百瓦级单管芯片新纪元。
图 500μm 发光宽度芯片的功率效率曲线 来源：长光华芯
苏州长光华芯光电技术股份有限公司成立于2012年，专注于研发和生产半导体激光芯片，核心技术覆盖半导体激光行业最核心的领域，攻克了一直饱受桎梏的外延生长、腔面处理、封装和光纤耦合等技术难题。公司高亮度单管芯片和光纤耦合输出模块、高功率巴条和叠阵等产品，在功率、亮度、光电转换效率、寿命等方面屡次突破，获多项专利，与全球先进水平同步。
图 长光华芯IDM全流程工艺平台和量产线 来源：长光华芯
目前，长光华芯已建成完全自主可控的从芯片设计、MOCVD（外延）、FAB晶圆流片、解理/镀膜、封装、测试、光学耦合、直接半导体激光器等完整的工艺平台和量产线，是全球少数几家具备6吋线外延、晶圆制造等关键制程生产能力的IDM半导体激光器企业之一，有力推动了我国超高功率激光技术及其应用的快速发展。
