近日，江苏南京江宁开发区总投资10亿元的国博射频集成电路产业化二期项目正在紧锣密鼓进行地下室主体结构施工。江宁发布消息显示，该项目总建筑面积约15.9万平方米，预计明年7月份主体封顶，2026年正式投产，将为推动国产射频集成电路产品在5G移动通信市场上实现国产化作出积极贡献。
江宁发布消息显示，国博射频集成电路产业化二期项目由中国电子科技集团公司第五十五研究所控股子公司南京国博电子有限公司投资建设。项目主要包括厂房及相关附属设施，重点补充射频集成电路封测制造能力，建成后与一期形成射频集成电路规模化设计、制造能力，努力打造成为宽禁带半导体器件及模块国内最大供应商、5G通信技术国内发展主要引领者。
据悉，该项目将发挥五十五所在半导体外延材料、射频集成电路设计、第二、三代半导体射频集成电路产业等方面的突出优势，打造涵盖材料、设计、加工、封装测试的全产业链射频集成电路产业集群。
据悉，江宁开发区是国内较早布局第三代半导体产业的开发园区，也是全市第三代半导体产业链布局最完备的板块。目前，该产业板块已集聚数十家头部关联企业，“链条”已初步打通建成。为了加速该产业链“强链补链延链”，江宁开发区专门成立第三代半导体产业专班，围绕材料、设备、器件设计与制造、器件与模块、应用五个环节和衬底、外延、材料、封装等23个细分方向大力招商。2023年全年，园区新引进英诺赛科、沅程芯电子、博锐半导体、兆熠科技、中电鹏程半导体、芯干线、桑德斯微电子等一批产业项目。
