1月15日，日本索尼银行官网公布关于投资三菱电机株式会社发行绿色债券的公告称，已经投资了该债券，希望通过提高SiC功率半导体的产能，实现脱碳社会。
公告显示，该绿色债券发行额度为300亿日元，年限为5年，发行日为2023年12月18日。
三菱电机株式会社是一家成立于1921年的通用电子制造商，致力于“半导体于器件”业务领域发展。三菱根据国际资本市场协会 (ICMA)实施的“绿色债券原则2021” (Green BondPrinciples2021)，制定了“绿色债券框架”。债券募集的资金将用于三菱机电碳化硅功率半导体制造相关的资本投资、研发、投融资。
根据三菱机电（上海）公司官网显示，该公司计划于2023年11月10日首次发行绿色债券，旨在扩大SiC产能和建设工厂。发行日从2023年12月（计划）开始。
2023年3月14日，三菱机电宣布，截至2026年3月的五年期间，将把先前宣布的投资计划增加一倍，达到约2600亿日元，主要用于建设一个新的硅片工厂，以增加碳化硅SiC功率半导体的产量。根据该计划，三菱电机预计将应对电动汽车对Sic功率半导体快速增长的需求，以及新应用市场的不断扩大，例如低能耗、高温运行或高速开关。
此次投资的追加部分（约1000亿日元）主要将用于建造一座新的8英寸SiC晶圆厂和加强相关的生产设施。新工厂生产大直径8英寸碳化硅芯片，计划于2026年4月启动。此外，该公司将加强其6英寸SiC芯片的生产设施，以满足日益增长的需求。
同时，三菱电机还将投资约100亿日元建设一座新厂房，用于功率半导体的封装和测试。将大大增强公司的开发能力，便于及时响应市场需求进行批量生产。其余200亿日元全部是新的投资，将用于改进设备、环境安排和相关业务。
2023年8月29日宣布，已在其功率器件制作所福山工厂完成了第一条12英寸硅晶圆生产线的建设。并且，通过样品生产和测试，验证了该生产线加工的功率半导体芯片达到了所需的性能水平。
合作方面，2023年11月13日，三菱机电宣布与Nexperia合作开发SiC功率半导体。三菱电机将利用其宽禁带半导体技术为Nexperia开发和供应SiC MOSFET芯片，用于开发SiC分立器件。
2023年10月10日，宣布投资Coherent的新SiC业务，将SiC业务分拆成立新公司，并将投资5亿美元（约750亿日元）。Coherent一直是三菱电机的SiC衬底供应商，此次投资旨在通过加强与Coherent的纵向合作，扩大其SiC功率器件业务。
2023年7月28日宣布，已投资日本氧化镓晶圆开发和销售企业Novel Crystal Technology，今后将加快研究开发高性能低损耗氧化镓功率半导体，氧化镓(Ga2O3)有望实现更高的击穿电压和更低的功率损耗。
2026年6月1日，三菱电机与Coherent达成合作，扩大生产200mm SiC功率器件。Coherent将为三菱电机未来新工厂生产的SiC功率器件供应200mm n型4H-SiC衬底。
随着新能源汽车市场的发展，碳化硅产能的需求也在不断提升。在2023年期间，三菱机电一直在开发和提升SiC方面的技术，同时也在新建工厂和与其他企业合作扩大SiC产能。由于车规级的碳化硅功率器件的性能和可靠性要求很高，目前只有少数企业能提供。这些问题都会导致当前碳化硅器件的供应紧缺，各大厂商都在扩产应对产能需求。
来源：艾邦半导体网
