【招聘】中国科学院宁波材料技术与工程研究所宽禁带半导体方向诚聘博士后

 中国科学院宁波材料技术与工程研究所（以下简称宁波材料所）张文瑞研究员、郭炜研究员长期招聘博士后，招聘方向为氧化物、氮化物等宽禁带半导体材料与器件研究。

课题组专注培养具有科学创新精神的顶级专业人才，提供优越的科研条件、优厚的薪资待遇、广阔的发展空间、多样化的国际学术交流以及与知名企业交流合作的机会。现诚邀海内外具有相关研究背景的青年才俊、优秀学者加盟。感兴趣者可将个人简历（含教育背景、本科及研究生期间成绩、科研经历、发表论文等信息）发送至邮箱zhangwenrui@nimte.ac.cn（张老师）或guowei@nimte.ac.cn（郭老师），邮件主题请注明“申请宁波材料所宽禁带半导体方向博士后+姓名”。

一、研究领域

1. 宽禁带半导体外延与先进工艺研发

2. 半导体缺陷理论与表征技术、模拟与仿真分析

3. 镓系宽禁带功率电子器件设计与工艺

4. 高频高功率先进封装技术与可靠性测试

5. 紫外光电器件设计与系统集成应用

二、任职要求

1. 即将获得/已获得电子科学与工程、材料物理与化学、半导体物理等专业博士学位；

2. 有浓厚的科研兴趣和自我驱动力，良好的学术基础和英语读写能力；

3. 具备良好的团队合作意识和沟通协调能力；

4. 有薄膜外延、器件制备和工艺开发相关经验者优先。

三、博士后岗位设置、待遇及后续发展

四、博士后专项申报条件及有关支持标准

五、合作导师介绍

张文瑞，宁波材料所研究员，国家高层次青年人才。博士毕业于美国德州农工大学，先后在美国布鲁克海文和橡树岭国家实验室从事博士后研究工作。长期从事氧化物半导体薄膜外延与微电子器件的设计研发，近年来着力提升氧化镓等宽禁带半导体薄膜的外延技术和载流子输运调控能力，实现了氧化镓薄膜的晶相调控、高效掺杂和高性能整流结设计，用于研发新一代功率电子器件与深紫外光电器件。已承担国家高层次青年人才项目，国家自然科学基金、浙江省自然科学基金和宁波市科技创新团队等项目，在Adv. Funct. Mater., ACS Nano, ACS Energy Lett., IEEE Electron Device Lett.和Appl. Phys. Lett.等学术期刊上发表论文100余篇，论文被引4000余次，H指数34，申请/授权发明专利10余项。

郭炜，宁波材料所研究员，博士生导师。本科毕业于上海交通大学，博士毕业于美国北卡罗来纳州立大学，曾担任全球最大的半导体设备供应商应用材料有限公司研发工程师，2016年加入中科院宁波材料所，先后任“特聘青年研究员”、副研究员、研究员。长期从事氮化物宽禁带半导体材料与器件的研究。主持了国家自然科学基金区创联合基金、面上、青年基金、科技部重点研发计划、中科院科研仪器设备研制项目、浙江省杰青、宁波市重大专项等课题。在领域权威期刊上发表论文80余篇，引用2000余次、h因子24。近年来在AlN、AlGaN极性调控和紫外LED限阈特性研究、紫外辅助MOCVD设备开发、高耐压GaN HEMT器件制备等领域取得了一系列领先成果。入选了中科院青年创新促进会并担任青促会化材分会理事会委员，获得了浙江省“钱江人才”、宁波市领军人才、“3315创新团队计划”人才等称号。

 （来源：蔻享学术）