北京大学申请高动态稳定性GaN器件专利，提高GaN HEMT的动态稳定性

 据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种高动态稳定性的GaN器件“，公开号CN117410327A，申请日期为2023年1月。专利摘要显示，本发明公开了一种高动态稳定性的GaN器件，在GaN HEMT的栅极帽层上采用欧姆接触电极‑介质层‑栅极互连金属的结构，该欧姆接触电极至少与第一耗尽型器件或电阻相连。在器件开启过程中，欧姆接触电极的存在能够消除阈值电压漂移，在栅极电压进一步增大时，由第一耗尽型器件或电阻承受过高的栅极电压，有效抑制栅极电流；且栅极互连金属与欧姆接触电极之间通过介电层形成一个大电容，从而提高栅极的驱动速率。所述GaN器件进一步包括第二耗尽型器件，以在关断过程中释放GaN HEMT栅极帽层中积累的正电荷。本发明可以增大GaN HEMT的驱动电压摆幅，降低驱动电流，消除阈值电压漂移现象，从而提高GaN HEMT的动态稳定性。