日前结束的中央经济工作会议提出，要以科技创新推动产业创新，特别是以颠覆性技术和前沿技术催生新产业、新模式、新动能，发展新质生产力。以碳化硅为代表的第三代半导体作为未来电子产业基石，是国家产业政策鼓励发展的关键战略材料之一，具备击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，广泛应用于半导体照明、新一代移动通信、新能源并网、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等尖端领域。
近日国内碳化硅衬底龙头企业，山东天岳先进科技股份有限公司董事长宗艳民做客《沪市汇·硬科硬客》第二期“换道超车第三代半导体”，与国内第三代半导体产业链华润微总裁华润微总裁李虹、芯联集成总经理赵奇，齐聚一堂，共谋未来。
在圆桌论坛交流中，行业大咖们表示，目前全球第三代半导体处于起步阶段，增长潜力强劲，我国第三代半导体有望“换道超车”。推动第三代半导体行业发展基石的衬底材料，天岳先进等龙头企业已经实现了突破，走在了国际前列。
目前天岳先进已经成为全球少数能批量供应高质量4英寸、6英寸半绝缘型碳化硅衬底、6英寸导电型碳化硅衬底，以及8英寸导电型碳化硅衬底制备，产品不仅满足了国内需求，还实现了海外出口，公司已成为包括英飞凌、博世等海外头部企业的主要供货商。
宗艳民表示，天岳先进在半绝缘衬底、车规级衬底已经走在国际前列。公司上海临港工厂已经投入运营，目前产能正在进一步提升。近年来，天岳先进与众多知名企业签订长期供货协议，一方面公司产品获得广泛的客户认可，特别是车规级衬底产品具备优势，另一方面也为公司业绩增长提供了有力支撑。
业界认为第三代半导体技术难点主要在材料和制造工艺。半导体衬底材料是第三代半导体行业发展的基石，衬底材料的突破，推动产业的蓬勃发展。天岳先进成立于2010年，“自成立以来，公司集中精力做好一件事，就是要把材料做出来，能够产业化，还要赶超海外，目前这个目标我们已经做到了”，宗艳民介绍。
天岳先进长期以来保持了高强度的研发投入，着力推进自主研发创新，已全面掌握碳化硅单晶制备全流程关键技术，部分技术已经走在国际前列。截至 2023 年 6 月末，公司及下属子公司累计获得境内发明专利授权 152 项，实用新型专利授权 324 项，境外发明专利授权 12 项，专并建立了完整有效的知识产权保护机制。公开资料显示，早在2019年，天岳先进已经获得国家科技进步一等奖，在半绝缘衬底领域已经持续多年位列全球前三。
宗艳民表示，碳化硅材料的缺陷是影响良率和成本的关键因素，公司将继续在缺陷管理方面加大基础性技术研发。同时，随着终端应用的不断扩大，衬底规模化生产之后有望进一步降低成本。
目前，全球第三代半导体行业整体处于起步阶段，并正在加速发展。碳化硅器件具有显著的节能效果，属于典型的绿色节能器件，产业结构低碳转型将会给碳化硅器件规模化应用带来重大发展机遇。新能源汽车领域应用占比最高，使用碳化硅半导体功率器件能够大幅提高电动汽车的性能和增加续航里程，另外AI人工智能同样需要转换效率更高的半导体器件提升能源管理系统的性能。
第三代半导体因性能优势，在半导体照明、新能源汽车、新一代移动通信、新能源并网、高速轨道交通等领域都具有广阔的应用前景。其中多领域应用场景将给第三代半导体带来巨大的市场空间。
嘉宾们认为，我国在第三代半导体领域进行了全产业链布局，各环节均涌现出具有国际竞争力的企业。相比硅基半导体而言，在第三代半导体领域和国际上处于同一起跑线，有望实现“换道超车”。
第三代半导体材料龙头天岳先进已经具备先发优势。宗艳民表示，将紧抓当下行业发展机遇，继续践行技术引领发展的理念，持续夯实技术实力， 不断提升产品品质、降低成本，更好地服务和支持下游产业发展，以厚积薄发之底气振兴和发展我国半导体产业。
