Yole Intelligence推出《2024年化合物半导体行业现状报告》，全面分析市场动态、生态系统演变和技术趋势，重点关注CS衬底和外延晶圆。
在功率和光子学应用强劲扩张的推动下，到2029年，全球化合物半导体衬底和外延晶圆市场预计将达到58亿美元。随着MicroLED的发展，射频探索新的市场机会。
2029年衬底市场将达33亿美元
化合物半导体(Compound Semiconductor，CS)是跨行业的变革力量。碳化硅(SiC)在汽车领域的主导地位，特别是在800V电动汽车领域，推动了一个数十亿美元的市场，而氮化镓功率器件(Power GaN)将其业务扩展到消费技术和汽车领域，预计在智能手机OVP领域将有10亿个需求量的机会。
射频砷化镓(RF GaAs)与5G和汽车连接相结合，预计将迎来复兴;而射频氮化镓(RF GaN)则在国防、电信和航天工业中找到了自己的利基市场，并将目光投向了高功率应用。在光子学(Photonics)领域，磷化铟(InP)和砷化镓(GaAs)处于领先地位，InP在人工智能应用的推动下复兴，而GaAs光子学由于各种市场动态而略有增长。MicroLED显示出潜力，尽管它们的广泛采用之旅仍在逐步展开。
重塑CS格局：主要玩家的战略举措和供应链动态
CS衬底(Substrate)制造商不断制定新的战略来扩大其产品组合，寻求扩大其市场份额。Wolfspeed站在先锋，引领碳化硅功率器件(Power SiC)的SiC衬底供应。其未来十年的宏伟目标是向更大规格8英寸晶圆厂和扩大材料产能的战略转变。同时，Coherent在光子器件领域扮演着关键角色，并在功率和射频应用领域占据着SiC衬底主导供应商的地位。与SEDI在RF GaN领域的合作，以及与GE一起进入Power SiC领域，增强了其从衬底到器件的竞争优势。
AXT、住友电工、Freiberger和SICC在GaAs、InP和半绝缘SiC衬底方面处于领先地位，并打算通过扩展到其他CS材料领域来实现收入增长。玩家们正在研究用于射频、光子学和μLED应用的GaAs和InP衬底之间的协同作用。与此同时，中国关于从中国出口镓原材料的新规定使CS衬底制造商调整了其原材料的战略供应。这些新的战略物资是什么?我们会看到对CS衬底价格的影响吗?
革命性CS：向更大衬底过渡释放新的行业潜力
CS技术在各个领域都有不同的进步。事实上，SiC行业正在蓬勃发展，玩家们正专注于扩张和投资。例如，6英寸晶圆仍然是SiC的主流，尽管Wolfspeed对8英寸MHV晶圆厂的12亿美元投资刺激了2023年第一季度的收入。Soitec和Sumitomo Mining等的工程衬底等创新，研发重点是提高SiC晶圆产量。英飞凌等主要IDM专注于晶锭(Boule)和晶圆分割技术。Power GaN主要采用6英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)，而8英寸硅基氮化镓则随着Innoscience、意法半导体和英飞凌的扩张而获得进展。
功率氮化镓的玩家正在努力使其具有与SiC类似的吸引力。他们的创新旨在使用QST等新型衬底实现垂直器件结构和提高性能。在射频业务中，硅上氮化镓正在为与碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)等现有技术竞争的新机会铺平道路。光子学利用人工智能的浪潮，驱动高数据速率激光器。InP Photonics是一个处于增长阶段的成熟市场。
人工智能能推动InP向6英寸过渡吗?同时，GaAs正在探索由MicroLED驱动的8英寸制造。MicroLED与OLED竞争，面临着产量和效率方面的挑战，成功与否还未得知，但大量投资为其提供了发展动力。苹果计划推出一款8英寸的MicroLED智能手表，这将推动行业从6英寸向8英寸的过渡，释放出新的市场潜力。
内容来自：讯石光通讯网
