台积电取得清洁半导体衬底的方法专利

日期:2023-12-28 阅读:561
核心提示:本发明的实施例提供一种清洁半导体衬底的方法。

 12月28日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“清洁半导体衬底的方法“,授权公告号CN109585262B,申请日期为2017年12月。

专利摘要显示,本发明的实施例提供一种清洁半导体衬底的方法。所述方法包括以下步骤:在以第一旋转频率旋转所述半导体衬底的同时,向所述半导体衬底的顶表面上施加第一药剂;在以第二旋转频率旋转所述半导体衬底的同时,将所述半导体衬底浸没在第二药剂中;以及在向所述半导体衬底的所述顶表面上引入第三药剂的同时,以第三旋转频率旋转所述半导体衬底。所述第一旋转频率可大于所述第三旋转频率且所述第三旋转频率大于所述第二旋转频率。在一些实施例中,所述第二旋转频率为零,且所述半导体衬底在所述浸没步骤期间保持静止。

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