据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种半导体器件结构及其制备方法和应用“，公开号CN117293183A，申请日期为2023年9月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体结构及其制备方法和应用，属于半导体技术领域。本发明提出的半导体器件结构中，互补沟道层材料为氧化物半导体材料，具有宽禁带的特点，可以获得较低的器件关态电流，且利用沟道层材料为轻掺杂或者无掺杂的半导体衬底材料，与掺杂类型相反的源区和漏区一起组成了具体低泄漏电流特性的反偏PIN结。此外，由于漏区与底层栅导电层之间存在着一定大小的横向间距，使得靠近漏区的沟道层表面不受栅控，可以进一步降低器件的关态电流。因此，本发明提出的半导体器件结构，关态电流明显低于相同尺寸、相同半导体衬底材料的CMOS器件。
（来源：金融界）
