SiC外延生长是SiC产业链中的关键一步。4H-SiC(碳化硅)半导体是制作高温,高频,大功率电力电子器件的理想电子材料,近20年来材料生长技术水平不断提升,材料品质逐步提高。
近日，第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）在厦门国际会议中心召开。期间在“碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术”分会上，中国科学院半导体所助理研究员闫果果做了“6英寸碳化硅外延生长及深能级缺陷研究”的主题报告，分享了6英寸4H-SiC的外延生长，以及深能级晶圆的研究进展。
4H-SiC双极器件对外延层的要求涉及厚外延层和低掺杂浓度实现高阻断电压，以及用于低正向电压降的高载流子寿命。报告中分享了6μm 4H-SiC外延层、10-11μm 4H-SiC外延层、4H-SiC外延层的批量生产，DLTS样品和设备，4H-SiC材料中的深能级，晶片中深能级的分布，缺陷浓度和载流子寿命，晶片中深能级的控制，退火对深层的影响，碳离子注入退火的影响等研究进展。
报告指出，对于6英寸4H-SiC的外延生长方面，用自制的热壁LPCVD反应器对直径为150mm的4H-SiC Si面衬底进行了均匀外延生长。已经实现了4H-SiC外延层的生长，厚度和掺杂均匀性分别为~0.5%和~3.5%。深能级晶圆研究方面，4H-SiC外延片的Z1/2缺陷分布均匀，缺陷密度与载流子寿命密切相关。深能级瞬态光谱（DLTS）是表征深能级的一种有效方法。
（备注：以上信息仅根据现场整理未经嘉宾本人确认，仅供参考！）
