近日，在厦门召开的第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）的“Mini/Micro-LED技术产业应用论坛”上， 厦门大学物理科学与技术学院副院长、教授黄凯带来了“显示用Micro-LED 芯片与集成技术新进展”的主题报告，分享了Micro-LED 显示技术关键瓶颈，以及显示用Micro-LED芯片与集成技术新进展。
Micro-LED 显示技术利用微型化的LED芯片作为显示像素点，可应用在几乎所有的主流显示应用领域，结构简单、无缝拼接，超高对比度、超高亮度等特点。Micro-LED显示技术当前面临的主要瓶颈，涉及外延均匀性提升与颗粒污染物控制；小尺寸芯片工作电流区间下量子效率提升；巨量转移、修复效率与良率提升；面向微显示的全彩化技术开发;针对Micro-LED显示的驱动技术开发。
Micro-LED芯片关键问题涉及尺寸效应和边缘效应导致的量子效率低，刻蚀工艺引入大量表面缺陷，造成侧壁损伤，使芯片边缘形成“死区”。Micro-LED显示集成关键问题，涉及面向平板显示的玻璃基巨量转移及检测修复和面向微型显示的硅基CMOS集成技术问题。
对于当前显示用Micro-LED芯片与集成技术新进展，报告指出，Micro-LED 外延技术方面，开发基于人工智能的LED外延结构辅助设计方法，实现外延结构的超快速设计。不同应用场景下的Micro LED外延结构设计，以传统尺寸LED外延结构AI模型作为迁移学习中的源域，可以提供更多与外延结构特征相关的先验知识，从而提高目标域学习的效率和效果。
Micro-LED 芯片技术方面，开发Micro-LED芯片刻蚀及表/界面修复、钝化全套新技术，极大提升芯片发光量子效率。Micro-LED 集成技术方面，面向特种显示应用，成功开发并点亮Micro-LED微显屏。蓝光/绿光0.41”(像素尺寸~10um，pitch 11.1μm，PPI 2288）；绿光0.39 ”(像素尺寸~6.5μm，pitch 7.5μm，PPI 3387） 2A/cm2注入电流密度下，亮度超105 nits。
报告指出，研究实现高性能Micro-LED芯片量产，突破全彩模组技术，获福建省科技进步一等奖。
（备注：以上信息仅根据现场整理未经嘉宾本人确认，仅供参考！）
