近日，第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）在厦门国际会议中心召开。期间，“超宽禁带半导体技术分会“上，武汉大学冯嘉仁分享了“高通量方法辅助筛选和预测半导体界面结构——以β-Ga2O3 /AlN 界面为例”的主题报告。
功率电子器件广泛应用于电能传输变换各个环节，在各大电能相关领域应用广泛。高性能功率电子器件可以降低电能传输变换过程中损耗，助力“双碳”目标。氧化镓是一种多变的半导体材料，它有六种不同的晶相，其中最稳定的是β相。β相氧化镓可以通过熔融法生长出大尺寸的单晶衬底，这对于制作高性能的功率器件非常有利，其研究备受关注，也面临着β-Ga2O3材料界面建模等挑战。
报告以β-Ga2O3 /AlN 界面为例，分享了高通量方法辅助筛选和预测半导体界面结构的研究成果，涉及界面结构预测、界面筛选、界面批量生成、界面稳定性讨论、能带对齐等内容。研究开发了半导体界面结构高通量搜索软件包（IPG），以Ga2O3 /AlN界面为例验证软件功能，从70862440个构型中，搜索出若干晶面的界面结构，电子结构、能带对齐分析与实验值吻合，IPG软件包具有普适性（金属/半导体界面、介质/半导体界面）， 为电子器件的高效设计提供了理论支撑，加速材料设计。
（备注：以上信息仅根据现场整理未经嘉宾本人确认，仅供参考！）
