由于其宽带隙和优异的材料特性, SiC基功率电子器件现在正成为许多杀手级应用的后起之秀，例如汽车、光伏、快速充电、PFC等。然而，在整个SiC功率器件中，材料成本（即衬底和外延层）通常占比50%~75%。这将大大推迟SiC电力电子产品的真正市场爆炸。
2023年11月27-30日，第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）于厦门国际会议中心盛大开幕。本届论坛为期4天，由厦门市人民政府、厦门大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）主办，厦门市工业和信息化局、厦门市科学技术局、厦门火炬高新区管委会、惠新(厦门)科技创新研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。
期间，“碳化功率器件及其封装技术分会”如期举行，本届分会由三安半导体、广州南砂晶圆半导体技术有限公司、北京北方华创微电子装备有限公司、 赛迈科先进材料股份有限公司、清软微视（杭州）科技有限公司、九峰山实验室、德国爱思强股份有限公司、 河北普兴电子科技股份有限公司、 江苏博睿光电股份有限公司、哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司、上海瞻芯电子科技有限公司、清纯半导体(宁波)有限公司协办支持。
会上，三安半导体技术总监叶念慈带来了“产业链垂直整合如何为SiC功率器件工厂赋能”的主题报告，报告指出，与硅基工业中传统的水平分工供应链相比，垂直整合正成为降低SiC功率电子产品整体成本和确保成品质量的一种有吸引力的方式。因此，许多SiC玩家相应地倾向于IDM（集成器件制造商）模式。
然而，在电力电子代工业务中，情况并非如此。特别是在SiC领域，占主导地位的铸造企业主要专注于晶圆工艺。材料（即衬底和外延层）要么从外部购买，要么由客户指定提供。SiC器件代工通常只是因为缺乏技术、不熟悉IDM模型或资本投资保守而提供晶片处理服务。这通常会导致高COO和质量责任归属问题对最终客户的影响，特别是基于目前水平分工的商业模式。湖南三安半导体正致力于解决这一问题，通过在长沙聚集4H-SiC晶体生长、衬底、外延、芯片加工和组装测试设施，为代工客户赋能，建立中国第一个垂直集成供应链。报告中展示了SiC半导体功率器件代工服务垂直整合的力量。
（备注：以上信息仅根据现场整理未经嘉宾本人确认，仅供参考！）
