2023年11月27-30日，第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）在厦门国际会议中心召开。本届论坛由厦门市人民政府、厦门大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）主办，厦门市工业和信息化局、厦门市科学技术局、厦门火炬高新区管委会、惠新(厦门)科技创新研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。
29日，“碳化功率器件及其封装技术分会“如期召开，本届分会得到了三安光电股份有限公司、广州南砂晶圆半导体技术有限公司、北京北方华创微电子装备有限公司、赛迈科先进材料股份有限公司、清软微视（杭州）科技有限公司、九峰山实验室、德国爱思强股份有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、江苏博睿光电股份有限公司、哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司、上海瞻芯电子科技有限公司、清纯半导体(宁波)有限公司的协办支持。
分会上，中国电子科技集团第五十五所研究所副主任设计师黄润华带来了“750V SiC MOSFET元胞结构对器件特性的影响研究”的主题报告，研究显示四种SiC MOSFET单元结构已经被酰化，实现并测试了750V条形和改进的六边形单元结构的SiC MOSFET，改进的六边形单元结构具有较低的比导通电阻和较高的开关损耗，在下一步工作中，将优化单元结构以降低开关损耗。
（备注：以上信息仅根据现场整理未经嘉宾本人确认，仅供参考！）
