2023年11月27-30日，第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）将于厦门国际会议中心召开。本届论坛由厦门市人民政府、厦门大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）主办，厦门市工业和信息化局、厦门市科学技术局、厦门火炬高新区管委会、惠新(厦门)科技创新研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。
作为国内首家以液相法为核心技术生长SiC晶体的企业晶格领域将亮相本届盛会。期间，“碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术”技术论坛上，北京晶格领域半导体有限公司总经理张泽盛将带来“液相法碳化硅单晶生长技术研究”的主题报告，分享最新技术研究成果与发展趋势，诚邀业界同仁共聚本届盛会，交流互通，同议产业发展的现在与未来。
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技术分论坛：碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术 Technical Sub-Forum: Technologies for SiC Substrate, Epitaxy Growth and Equipment |
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时间：2023年11月29日08:25-12:00 地点：厦门国际会议中心酒店 • 白鹭厅 Time: Nov 29, 08:25-12:00 Location: Xiamen International Conference Center • Egret Hall |
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协办支持/Co-organizer: 三安半导体 San'an Co.,ltd 广州南砂晶圆半导体技术有限公司Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,Ltd 北京北方华创微电子装备有限公司 NAURA Technology Group Co., Ltd. 赛迈科先进材料股份有限公司 SIAMC Advanced Material Corporation 清软微视（杭州）科技有限公司 T-Vision.AI (Hangzhou) Tech Co.,Ltd. 九峰山实验室 JFS Laboratory 德国爱思强股份有限公司 AIXTRON SE 河北普兴电子科技股份有限公司 HEBEIPOSHINGELECTRONICSTEC 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 KY Semiconductor, Inc |
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屏幕尺寸 / Slides Size：16:9 |
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主持人 Moderator |
徐现刚 / XU Xiangang 山东大学新一代半导体材料研究院院长、教授 Professor & Dean of Institute of Novel Semiconductors, Shandong University 冯 淦 / FENG Gan 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司总经理 General Manager of EpiWorld International Co.,Ltd. 陈小龙/CHEN Xiaolong 中国科学院物理研究所研究员 Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences |
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08:25-08:30 |
嘉宾致辞 / Opening Address |
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08:30-08:50 |
利用碳化钽的坩埚中物理气相传输生长SiC和AlN晶体 Growth of bulk SiC and AlN crystals by Physical Vapor Transport in a crucible with presence of TaC Yuri MAKAROV--Nitride Crystals Group Ltd.执行总裁 Yuri MAKAROV--President of Nitride Crystals Group Ltd. |
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08:50-09:10 |
200 mm 4H-SiC高质量厚层同质外延生长 200mm 4H-SiC for high quality thick-layer homogeneous epitaxial growth 薛宏伟--河北普兴电子科技股份有限公司总经理 XUE Hong--General Manager of Hebei Poshing Electronic Technology Co., Ltd |
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09:10-09:30 |
High throughput Epitaxy Solution for 150mm and 200mm Silicon Carbide 碳化硅6/8英寸高产能外延解决方案 方子文--德国爱思强股份有限公司中国区总经理 FANG Ziwen--General Manager, AIXTRON SE of China |
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09:30-09:50 |
大尺寸SiC单晶的研究进展Research progress of 8-inch SiC single crystal 杨祥龙--山东大学副教授/南砂晶圆技术总监 YANG Xianglong--Associate professor of Shandong University Technical director of Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co., Ltd |
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09:50-10:10 |
化合物半导体衬底和外延缺陷无损检测技术 Nondestructive Inspection for Compound Semiconductor Substrate and Epitaxy 周继乐--清软微视（杭州）科技有限公司 总经理 ZHOU Jile-- General Manager of T-Vision.AI (Hangzhou) Tech Co.,Ltd |
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10:10-10:25 |
茶歇 / Coffee Break |
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10:25-10:45 |
时间分辨光谱技术及其在SiC材料检测中的应用 Transient Absorption Spectroscopy and Its Applications in Semiconductor Testing 金盛烨--中国科学院大连理化所研究员、大连创锐光谱科技有限公司董事长 JIN Shengye--Professor of Dalian Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Chairman of Dalian Chuangrui Spectral Technology Co., Ltd |
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10:45-11:05 |
8英寸碳化硅衬底产业化进展 Industrialization progress of 8-inch silicon carbide substrate 赵丽丽--哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司董事长 ZHAO Lili--President of KY Semiconductor, Inc. |
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11:05-11:25 |
精细石墨——半导体材料制造之柱 Fine Graphite, a pillar for semiconductor material manufacture 吴厚政--赛迈科电子股份有限公司CTO WU Houzheng--CTO of SIAMC Advanced Material Corporation |
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11:25-11:45 |
液相法碳化硅单晶生长技术研究 Research on the Growth Technology of Silicon Carbide Single Crystal by Liquid Phase Method 张泽盛--北京晶格领域半导体有限公司总经理 ZHANG Zesheng--General Manager of Beijing Lattice Semiconductor Co., Ltd |
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11:45-12:00 |
碳化硅衬底粗研磨和精研磨工艺及耗材技术 SiC Substrate Coarse Lapping and Fine Lapping Processes and Consumables 苑亚斐 北京国瑞升科技集团股份有限公司研发总监 YUAN Yafei R&D Director of Beijing Grish Hitech Co., Ltd |
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12:00-12:15 |
热壁反应器在4°离轴衬底上生长150mm低表面粗糙度4H-SiC外延层 Growth of 150 mm 4H-SiC Epilayers with Low Surface Roughness by a Hot-Wall Reactor on 4° off-Axis Substrates 闫果果--中国科学院半导体所助理研究员 YAN Guoguo--Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences |
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12:00-13:25 |
午休 / Adjourn |
（备注：本场会议日程仍在调整中，仅供参考，最终以现场为准！）
晶格领域半导体有限公司于2020年6月成立，是集碳化硅（SiC）衬底研发、生产及销售于一体，北京市及顺义区重点关注的创新型高技术企业。 晶格领域是国内首家以液相法为核心技术生长SiC晶体的企业，掌握具有自主知识产权的液相法SiC晶体生长技术。相较当前主流的物理气相传输法晶体生长技术，液相法能有效提高晶体质量，降低生产成本，并能有效解决目前行业内高质量4H-p型和3C-n型SiC衬底的产业化难题。此外，该方法对于推动宽禁带半导体产业发展具有重要意义。
公司已建成液相法碳化硅衬底制备试验线，并成功生长出4-6英寸4H-p型SiC晶体。2023年，公司进一步开发了2-4英寸3C-n型SiC晶体的液相生长技术，6英寸也在研发中。两种产品的尺寸、质量与厚度均处于国际领先水平。公司注重人才发展，拥有多种人才发展渠道，励志打造一支技术过硬、业务精湛的专业技术团队，发展成为国际一流的SiC衬底企业，促进第三代半导体产业发展。
更多论坛内容、活动及嘉宾信息，敬请关注半导体产业网、第三代半导体产业！
附论坛详细信息：
会议时间 : 2023年11月27-30日
会议地点 :中国· 福建 ·厦门国际会议中心
主办单位：
厦门市人民政府
厦门大学
第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）
承办单位：
厦门市工业和信息化局
厦门市科学技术局
厦门火炬高新区管委会
惠新(厦门)科技创新研究院
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
论坛主题：低碳智联· 同芯共赢
程序委员会 ：
程序委员会主席团
主席：
张 荣--厦门大学党委书记、教授
联合主席：
刘 明--中国科学院院士、中国科学院微电子研究所所研究员
顾 瑛--中国科学院院士、解放军总医院教授
江风益--中国科学院院士、南昌大学副校长、教授
李晋闽--中国科学院特聘研究员
张国义--北京大学东莞光电研究院常务副院长、教授
沈 波--北京大学理学部副主任、教授
徐 科--江苏第三代半导体研究院院长、中科院苏州纳米所副所长、研究员
邱宇峰--厦门大学讲座教授、全球能源互联网研究院原副院长
盛 况--浙江大学电气工程学院院长、教授
张 波--电子科技大学教授
陈 敬--香港科技大学教授
徐现刚--山东大学新一代半导体材料研究院院长、教授
吴伟东--加拿大多伦多大学教授
张国旗--荷兰工程院院士、荷兰代尔夫特理工大学教授
Victor Veliadis--PowerAmerica首席执行官兼首席技术官、美国北卡罗莱纳州立大学教授
备注：11月15日前注册报名，享受优惠票价！
＊中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）或第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）成员单位在此基础上再享受10%优惠。
＊学生参会需提交相关证件。
＊会议现场报到注册不享受各种优惠政策。
＊若由于某些原因，您缴费后无法参会，可办理退款事宜，组委会将扣除已缴费金额的5%作为退款手续费。
＊IFWS相关会议：碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术，氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术，碳化功率器件及其封装技术I、Ⅱ，氮化镓功率电子器件，氮化镓射频电子器件，超宽禁带半导体技术，化合物半导体激光器与异质集成技术、氮化物紫外技术 ；
＊SSL技术会议：光品质与光健康医疗技术，Mini/Micro-LED及其他新型显示技术，半导体照明芯片、封装及光通信技术，氮化物半导体固态紫外技术，光农业与生物技术,化合物半导体激光器与异质集成技术、氮化物紫外技术 ；
＊IFWS会议用餐包含：28日午餐、28日欢迎晚宴、29日午餐和晚餐、30日午餐；
＊SSL会议用餐：27日晚餐、28日午餐、28日欢迎晚宴、29日午餐。
线上报名通道：
组委会联系方式：
1.投稿咨询
白老师
010-82387600-602
papersubmission@china-led.net
2.赞助/参会/参展/商务合作
张女士
13681329411
zhangww@casmita.com
贾先生
18310277858
jiaxl@casmita.com
余先生
18110121397
yuq@casmita.com
协议酒店：
