IFWS 2023前瞻│超宽禁带半导体技术分会日程出炉

 随着高性能、高功率、高频率等需求的不断扩展以及技术的不断提升，超宽禁带半导体呈现出越来越明显的应用优势，在多个领域都具有广泛的应用前景。随着4G和5G移动通信、雷达探测、轨道交通、光伏发电、半导体照明、高压输变电等应用领域的不断发展，宽禁带和超宽禁带半导体器件已成为国际半导体器件和材料的研究和产业化热点，并不断的有新的突破提升。

第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）将于2023年11月27-30日在厦门国际会议中心召开。本届论坛由厦门市人民政府、厦门大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）主办，厦门市工业和信息化局、厦门市科学技术局、厦门火炬高新区管委会、惠新(厦门)科技创新研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。本届论坛除了重量级开、闭幕大会，设有七大主题技术分会，以及多场产业峰会，将汇聚全球顶级精英，全面聚焦半导体照明及第三代半导体热门领域技术前沿及应用进展。

目前，作为IFWS的重要分会之一的“超宽禁带半导体技术分会“日程出炉，本届分会得到了三安光电股份有限公司的协办支持，江苏省光电信息功能材料重点实验室南京大学的学术支持。分会上，来自沙特阿卜杜拉国王科技大学、中山大学、电子科技大学、香港大学、大阪公立大学、西安交通大学、山东大学、中国电子科技集团第四十六研究所、吉林大学、瑞典林雪平大学、北京邮电大学、厦门大学、桂林电子科技大学电气工程学院、武汉大学、南京大学、郑州大学、西安交通大学、复旦大学、西安电子科技大学等国内外实力派代表性科研力量将齐聚，共同探讨超宽禁带半导体技术的前沿发展趋势及最新动向。

分会日程详情如下

技术分论坛: 超宽禁带半导体技术 Technical Sub-Forum: Technologies for Ultra-wide Bandgap Semiconductors
时间：2023年11月29日08:30-18:30 地点：厦门国际会议中心酒店 • 1B会议室 Time: Nov 29, 08:30-18:30 Location: Xiamen International Conference Center • 1B Meeting Room
协办支持/Co-organizer: 三光光电股份有限公司       San’an Co.,ltd 学术协办/Academic Co-organizer 南京大学--江苏省光电信息功能材料重点实验室 Jiangsu Provincial Key Laboratory of Photonic and Electrionic Materials Seciences and Technology
屏幕尺寸 / Slides Size：16:9
主持人 Moderator	龙世兵 / LONG Shibing 中国科学技术大学微电子学院执行院长、教授 Executive Dean & Professor of School of Microelectronics at University of Science and Technology of China 王宏兴/WANG Hongxing 西安交通大学教授 Professor of Xi'an Jiaotong University 叶建东 / YE Jiandong 南京大学教授 Professor of Nanjing University
08:25-08:30	嘉宾致辞 / Opening Address
08:30-08:50	氧化镓异质集成功率电子与射频器件研究 Heterointegration of Ga2O3 enhancing power electronic and RF devices 叶建东--南京大学教授 YE Jiandong--Professor of Nanjing University
08:50-09:10	基于GaN、AlN、Ga2O3的高集成宽带隙半导体系统 Towards highly integrated wide bandgap semiconductor systems based on GaN, AlN, Ga2O3 李晓航--沙特阿卜杜拉国王科技大学副教授 LI Xiaohang--Associate professor and Principal Investigator，King Abdullah University of Science and Technology (KAUST)
09:10-09:30	氧化镓异质外延生长技术研究及其应用 Research and Application of Gallium Oxide Heteroepitaxial Growth Technology 王钢--中山大学教授 WANG Gang--Professor of Sun Yat-sen University
09:30-09:45	高电流密度高击穿电压增强型栅控异质结垂直β-Ga2O3 MOSFET High Current Density and High Breakdown Voltage Enhancement-Mode Gate-controlled Heterojunction Vertical β-Ga2O3 MOSFET 蒋卓林--电子科技大学 Jiang Zhuolin--University of Electronic Science and Technology of China
09:50-10:05	基于异质外延E模的β-Ga2O3 NMOS集成电路MOSFET Monolithically integrated β-Ga2O3 NMOS IC based on heteroepitaxial E-mode MOSFETs Vishal Khandelwal--沙特国王科技大学 Vishal Khandelwal--King Abdullah University of Science and Technology,
10:10-10:25	茶歇 / Coffee Break
10:25-10:45	应变金刚石在半导体和光电子领域的应用 Strained diamond for semiconductor and optoelectronics applications 陆洋--香港大学教授 LU Yang--Professor of Hongkong University
10:45-11:05	用于实际器件应用的GaN/3C-SiC/金刚石结的增强热性能 Enhanced Thermal Performance in GaN/3C-SiC/Diamond Junctions for Practical Device Applications 梁剑波--大阪公立大学副教授 LIANG Jianbo--Associate Professor, Osaka Metropolitan University
11:05-11:20	单晶金刚石高效调控掺杂研究 Research on the high-effectively modulated doping in single crystal diamond 王若铮--西安交通大学副教授 Wang Ruozheng--Associate Professor of Xi'an Jiaotong University
11:20-11:35	氢终端接金刚石MESFET的稳定性研究 Research on Stability of H-terminated Diamond MESFET 葛磊--山东大学 GE Lei--Shandong University
11:35-11:50	高导热GaN/金刚石结构制备及器件性能Fabrication and Device Properties of GaN/Diamond Structure with High Thermal Conductivity 孙杰  中国电子科技集团第四十六研究所工程师 SUN Jie  Senior Engineer, 46th Research Institute of China Electronics Technology Group
11:50-12:05	先进的沟槽结构垂直金刚石二极管实现高性能Advanced vertical diamond diodes with trench structure towards high performances 刘家炜--吉林大学 Jiawei LIU--Jilin University
12:25-13:30	午休 / Adjourn
13:30-13:50	MOVPE growth of gallium oxide for next generation power electronics Daniela GOGOVA--瑞典林雪平大学 Daniela GOGOVA--linkOPING UNIVERSITY, Sweden
13:50-14:10	超宽禁带半导体氧化镓外延薄膜沉积技术及研究进展 Research progress and deposition technology of gallium oxide epitaxial thin films 李培刚--北京邮电大学教授 LI Peigang--Professor of Beijing University of Posts and Telecommunications
14:10-14:30	Ga2O3外延薄膜的电子结构及掺杂机理 The Electronic Structure and Doping Mechanism in Ga2O3 Epitaxial Thin Films 张洪良--厦门大学教授 ZHANG Hongliang--Professor of Xiamen University
14:30-14:50	氧化镓系列薄膜光电器件初探 Gallium oxide based thin films for Optoelectronic application 张法碧-桂林电子科技大学电气工程学院副院长、教授 LI Haiou--Professor & Deputy Dean of the School of Electrical Engineering, Guilin University of Electronic Science and Technology
14:50-15:05	高通量界面预测与生成方案——以β-Ga2O3/AlN界面为例 High-Throughput Interface Prediction and Generation Scheme: The Case ofβ-Ga2O3/AlN Interfaces 张召富--武汉大学研究员 ZHANG Zhaofu--Professor of Wuhan University
15:05-15:20	卤化物气相外延生长在（0001）蓝宝石上的（-310）取向β-Ga2O3：生长和结构表征 (-310)-oriented β-Ga2O3 grown on (0001) sapphire by halide vapor phase epitaxy: growth and structural characterizations 许万里--南京大学   XU Wanli--Nanjing University
15:10-15:25	茶歇 / Coffee Break
15:25-15:45	氮化硼半导体材料的制备及其在紫外探测方面的应用 Synthesis of Boron Nitride Semiconducting Materials for VUV/UV-C Detection 殷红--吉林大学教授 YIN Hong--Professor of Jilin University
15:45-16:05	六方氮化硼MOCVD生长机制研究综述   A Review on Growth Mechanisms of Hexagonal Boron Nitride by MOCVD 刘玉怀--郑州大学教授 LIU Yuhuai--Zhengzhou University
16:05-16:25	hBN的LPCVD薄膜生长及异质结制备 The film growth and heterojunction fabrication of hBN via LPCVD 李强--西安交通大学副教授 Li Qiang--Associate Professor of Xi'an Jiaotong University
16:25-16:40	Ga2O3/4H-SiC异质结的真空退火工艺研究 Study of vacuum annealing process of Ga2O3/4H-SiC heterojunction 沈毅--复旦大学 SHEN Yi--Fudan University
16:40-16:55	碳基有源无源器件研究 Recent Development of Carbon-based Active and Passive Electronic Devices 冯欣--西安电子科技大学华山准聘副教授 FENG Xin— Huashan Associate Professor of Xidian University
16:55-17:10	不同终端（h-、O-、F-、OH-）调制的h-BN/金刚石（111）的界面电子性质和能带排列 Interfacial electronic properties and band alignment of h-BN/diamond (111) modulated by different terminals (H-, O-, F-, OH-) 屈艺谱--郑州大学 QU Yipu--Zhengzhou University
17:10-17:25	脉冲激光沉积法优化金刚石复合材料异质外延氧化镓薄膜Optimization of Heteroepitaxial Gallium Oxide Thin Films on Diamond Composite Substrates using Pulsed Laser Deposition Method 顾林 --复旦大学 GU Lin -Fudan university
17:25-17:40	低功率β-Ga2O3单片逆变器 Low power β-Ga2O3 monolithic inverters Dhanu CHETTRI--沙特国王科技大学 Dhanu CHETTRIKing -Abdullah University of Science and Technology (KAUST)
17:40-17:55	氧化镓缺陷的研究、合金工程的电子结构调制和太阳能光电探测器的发展 Study of Gallium oxide defects, electronic structure modulation of alloying engineering, and development of solar-blind photodetectors 徐祥宇--厦门大学 XU Xiangyu--Xiamen University

 

（备注：本场会议日程仍在调整中，仅供参考，最终以现场为准！）  

部分嘉宾

龙世兵

中国科学技术大学微电子学院执行院长、教授

龙世兵，中国科学技术大学微电子学院执行院长、教授。长期从事微纳加工、阻变存储器、超宽禁带半导体器件领域的研究。IEEE EDL/TED、Adv. Mater.等多种国际著名学术期刊的审稿人。在IEEE EDL、Adv. Mater.、Nat. Commun.等国际学术期刊上发表论文100余篇，SCI他引5500余次，H因子43，6篇论文入选ESI高引论文。申请专利100余项，其中9项转移给国内最大的集成电路制造企业中芯国际，74项授权/受理发明专利许可给武汉新芯。主持国家自然科学基金、科技部（863、973、重大专项、重点研发计划）、中科院、广东省等资助科研项目20多项。参与获得国家技术发明奖二等奖、国家自然科学二等奖、中国科学院杰出科技成就奖。

王宏兴

西安交通大学教授

王宏兴，西安交通大学教授。2001年至2013年，在日本先后任研究员、高级研究员、工艺开发负责人、执行董事、首席顾问、研发团队负责人等职务。在日本期间先后参加和主持了日本通产省，日本学术振兴机构以及日本有关大型公司的重大科研项目和产学研结合项目。2013年全职回国后，承担和主持包括国家基金委重大仪器专项、科技部“863计划”、“十三五”重点研发、国家自然科学基金、陕西省统筹等项目，相关研究已初步实现小规模产业化。王宏兴教授在III-V族半导体薄膜外延生长及发光器件，大面积金刚石衬底及高质量金刚石薄膜外延生长，碳纳米场致发射阴极、场致发射光源及其他场致发射电子器件，MOCVD设计开发、特殊直流CVD设计开发、微波等离子体CVD的设计开发等领域做出了许多创新性工作。

叶建东

南京大学教授

叶建东，南京大学教授。曾先后就职于新加坡微电子研究所和澳大利亚国立大学。长期从事宽禁带氧化物半导体材料、物理与器件研究，主持和完成国家重点研发计划课题、国家优秀青年基金、江苏省杰出青年基金、江苏省重点研发计划等。在IEEE Power Electron. Dev., IEEE Electron Dev. Lett., IEEE Trans. Electron Dev., Appl. Phys. Lett等学术期刊上发表130余篇，专著1章，申请/授权发明专利15/7项。

李晓航

沙特阿卜杜拉国王科技大学副教授

李晓航，沙特阿卜杜拉国王科技大学副教授。致力于第三代半导体超宽禁带材料、器件、物理、设备的研究，这些领域预期会在未来对光电电子通信生化和生命科学等领域带来革命性的影响。李晓航教授是半导体深紫外激光研究的先驱者之一：首次实现在蓝宝石上低阈值深紫外激光和260nm以下深紫外激光，首次实现在同一衬底上半导体TE和TM深紫外激光，首次实现半导体深紫外表面受激辐射。他也在BAlN和Ga2O3等新型第三代半导体研究做出了开创性的成果。他基于物理研究成果创立的Polarization Toolbox软件已被来自世界各70多个大学公司和科研院所所使用，包括UCSB、Cornell、ASML、IMEC、RIKEN、Facebook等。李晓航教授获得过美国晶体生长协会Harold M. Manasevit Young Investigator Award（全球每两年一名，系第一位中国人获该奖），SPIE研究生年度最高奖（全球每年一名，系第一位中国人获该奖），和IEEE Photonics Society研究生年度最高奖（全球每年十名），佐治亚理工学院和爱迪生创新基金会博士生最高奖（每年一名）。

张洪良

厦门大学教授

张洪良，厦门大学教授。2012年获得牛津大学无机化学博士学位，2008年新加坡国立大学硕士学位，2003年山东大学本科。2012-2017年先后在美国西北太平洋国家实验室和剑桥大学从事博士后工作。研究方向为（1）宽禁带氧化物半导体薄膜外延、能带调控及光电探测器件；（2）过渡金属氧化物薄膜电子结构与光、电、磁、催化性能构效关系研究。迄今在Phys. Rev. Lett., Nat. Commun., Adv. Mater.，J. Am. Chem. Soc., Phys. Rev. B.,等发表论文150余篇，申请专利11项。主持国家重点研发计划课题、国家自然科学基金委基金、企业合作研发等项目8项。曾获国家高层次“青年”人才、剑桥大学Herchel Smith Research Fellowship、台湾积体电路制造公司（TMSC）最佳国际研究生科研奖。

王钢

中山大学教授

王钢，中山大学教授，半导体照明材料与器件国家地方联合工程实验室主任，中山大学佛山研究院院长，教育部2007 年度新世纪优秀人才支持计划入选者，科技部“十一五”、“十二五”国家科技重点专项（半导体照明专项）总体专家组专家。主要从事宽禁带氧化物半导体薄膜材料及器件外延制备技术、电子器件三维异构集成芯片3D打印制造技术、半导体材料高端装备研发等方向的研究。

陆洋

香港大学教授

陆洋，香港大学教授、香港青年科学院院士。主要从事微纳米力学研究，特别是对于低维材料的力学行为及其尺度效应的探索，促进其在微机械、机电系统、纳米技术及先进微纳制造等实际应用。

张召富

武汉大学研究员

张召富，武汉大学研究员。2019-2022 年在 Cambridge University 的 John Robertson 教授（英国皇家科学院 / 工程院双院士）课题组担任博士后。主要研究方向宽禁带半导体材料与器件，具有丰富的第一性原理计算模拟和器件设计方面的经验， 已经在 APL, TED, ACS AMI, Nat. Comm. 等期刊发表 SCI 期刊论文 100 余篇。担任多个期刊青年编委和审稿人。

刘玉怀

郑州大学教授

刘玉怀，郑州大学教授、日本名古屋大学客座教授。主要研究方向为氮化物半导体材料与器件，主持国家重点研发计划政府间国际科技创新合作重点专项（基于氮化物半导体的深紫外激光器的研究）、国家自然科学基金面上项目、河南省科技攻关项目等12项。发表论文与会议报告215篇，国际会议邀请报告12次。日本专利公开1项、授权中国发明专利1项、实用新型项专利1项、软件着作权5项。紫外LED技术转移1项。

李强

西安交通大学副教授

李强，西安交通大学副教授。从事宽禁带半导体材料与器件研究，主要研究方向：氧化物半导体材料（氧化铟锡ITO）和超宽禁带半导体材料（氮化硼BN）的制备与器件应用。第一发明人拥有国家授权发明专利11项，在国内外重要期刊上发表学术论文50余篇。主持国家及省部级项目6项，主讲国家一流本科生课程1门，陕西省精品课程1门，作为主编之一编写专著1部。

梁剑波

大阪公立大学副教授

梁剑波，大阪公立大学副教授，主要从事常温条件下异质半导体材料，半导体材料与金属，半导体材料与金刚石间的直接键合技术的研发，以及键合界面电学，热学，原子结构以及结合状态特性的研究。主持并参与多项日本国家重大科研和新型产业创新等研究项目。2015年 4月1日-2019 年3月31日，任职于日本大阪市立大学 工学研究科电子信息系专业讲师，从事单晶刚石基板和晶刚石半导体器件的研发，应用等离子接合技术制作高效率大功率半导体器件的研发；2017年3月1日-2017年8月31日，任职于英国布里斯托大学物理研究所问研究员，从事大功率氮化镓半导体器件的研发

王若铮

西安交通大学副教授

王若铮，西安交通大学副教授。主要从事超宽禁带半导体金刚石单晶材料及电子器件的研究工作，包括高质量单晶金刚石外延生长，金刚石P/N型调制掺杂及载流子输运机理，金刚石功率器件，金刚石微观结构及材料缺陷等相关研究。主持国家自然科学基金，国家重点研发计划子课题，军科委xx主题项目、xx基金项目，GF重点实验室基金等，作为骨干参与了国家自然科学基金重大仪器专项、面上项目，国家重点研发计划国际合作项目，装发xx技术项目，军科委xx重点课题，陕西省重点研发课题等。已发表SCI论文30余篇。

张法碧

桂林电子科技大学电气工程学院副院长、教授

张法碧，桂林电子科技大学电气工程学院副院长、教授。研究领域：微电子与固体电子学。研究方向：紫外探测材料器件、宽禁带半导体材料与器件、二维材料与器件、透明氧化物薄膜与器件、功率器件。“广西E层次人才”，"广西创新人才培养示范"，广西高校引进海外高层次人才“百人计划”，“广西高等学校千名中青年骨干教师培育计划”人选，“日本文部科学省奖学金”获得者，主持国家自然科学基金地区项目一项，参与两项；主持广西中青年基础能力提升项目一项；主持广西重点实验室主任基金项目三项；参与广西自然科学基金两项。在日本攻读博士学位和从事访问学者期间主要从事氧化物半导体薄膜的光学和电学性质的研究。

李培刚

北京邮电大学教授

李培刚，北京邮电大学教授。2007年3月到2009年6月，作为洪堡学者（Humboldt Fellow）在德国于利希研究中心工作，2009年7月至2010年8月作为玛丽居里学者（Marie-Curie Fellow），在希腊激光与电子结构研究所和意大利技术研究所工作。2016年3月至2018年8月，作为访问学者，在美国杜兰大学物理系进行合作研究。主持国家自然科学基金面上项目，省自然科学基金，横向课题等科研项目10余项。发表或合作发表SCI收录论文160余篇，被引用3近2000次。获得授权发明专利20余项。

Daniela GOGOVA

瑞典林雪平大学

殷红

吉林大学教授

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附论坛详细信息：

会议时间 : 2023年11月27-30日

会议地点 :中国· 福建 ·厦门国际会议中心

主办单位：

厦门市人民政府

厦门大学

第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）

中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）

承办单位：

厦门市工业和信息化局

厦门市科学技术局

厦门火炬高新区管委会

惠新(厦门)科技创新研究院

北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司

论坛主题：低碳智联· 同芯共赢

程序委员会 ：

程序委员会主席团

主席：

张   荣--中国科学院院士，厦门大学党委书记、教授

联合主席：

刘   明--中国科学院院士、中国科学院微电子研究所所研究员

顾   瑛--中国科学院院士、解放军总医院教授

江风益--中国科学院院士、南昌大学副校长、教授

李晋闽--中国科学院特聘研究员

张国义--北京大学东莞光电研究院常务副院长、教授

沈   波--北京大学理学部副主任、教授

徐   科--江苏第三代半导体研究院院长、中科院苏州纳米所副所长、研究员

邱宇峰--厦门大学讲座教授、全球能源互联网研究院原副院长

盛   况--浙江大学电气工程学院院长、教授

张   波--电子科技大学教授

陈   敬--香港科技大学教授

徐现刚--山东大学新一代半导体材料研究院院长、教授

吴伟东--加拿大多伦多大学教授

张国旗--荷兰工程院院士、荷兰代尔夫特理工大学教授

Victor Veliadis--PowerAmerica首席执行官兼首席技术官、美国北卡罗莱纳州立大学教授