IFWS 2023前瞻│氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术分会日程出炉

 第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）将于2023年11月27-30日在厦门国际会议中心召开。本届论坛由厦门市人民政府、厦门大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）主办，厦门市工业和信息化局、厦门市科学技术局、厦门火炬高新区管委会、惠新(厦门)科技创新研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。

本届论坛除了重量级开、闭幕大会，设有七大主题技术分会，以及多场产业峰会，将汇聚全球顶级精英，全面聚焦半导体照明及第三代半导体热门领域技术前沿及应用进展。目前，“氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术分会”最新报告日程正式出炉，将着力聚焦最新技术发展与前沿趋势。

本届分会得到了三安光电股份有限公司、 纳微朗科技(深圳)有限公司、 中微半导体设备(上海)股份有限公司、马尔文帕纳科公司的协办支持。届时，该分会将有北京大学教授于彤军、 深圳大学物理与光电工程学院副院长武洪磊、北京化工大学教授张纪才、马尔文岶纳科 亚太区半导体行业经理钟明光 、郑州大学鲁正乾、南京大学教授修向前、 中微公司MOCVD工艺总监陈耀、 中国科学院苏州纳米所助理研究员司志伟、苏州大学周继宗、深圳大学曹缘、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所方俊等科研院校知名专家及实力派企业代表共同参与，将围绕氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术的发展分享主题报告。

分会日程详情如下：

技术分论坛：氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术 Technical Sub-Forum: Technologies for Nitride Substrate, Epitaxy Growth and Equipment
时间：2023年11月29日08:30-12:00 地点：厦门国际会议中心酒店 • 大同厅 Time: Nov 29, 08:30-12:00 Location: Xiamen International Conference Center • Datong Hall
协办支持/Co-organizer: 三光光电股份有限公司       San’an Co.,ltd 中微半导体设备（上海）股份有限公司      Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China（AMEC） 赛迈科先进材料股份有限公司 SIAMC Advanced Material Corporation
屏幕尺寸 / Slides Size：16:9
主持人 Moderator	沈  波 / SHEN Bo 北京大学理学部副主任、教授 Deputy Director and Professor of School of Physics, Peking University 徐  科 / XU Ke 江苏第三代半导体研究院院长、中国科学院苏州纳米所副所长、研究员 Associate Director of Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, CAS; President of Suzhou Nanowin Co. Ltd.
08:25-08:30	嘉宾致辞 / Opening Address
08:30-08:50	大尺寸AlN单晶生长研究 The PVT growth of large AlN bulk crystals 于彤军--北京大学教授 YU Tongjun--Professor of Peking university
08:50-09:10	PVT法同质扩径制备大尺寸氮化铝晶体 Preparation of Large Size AlN Crystals by PVT Homogeneous Enlargement 武洪磊--深圳大学物理与光电工程学院副院长 WU Honglei--Vice Dean，School of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen University
09:10-09:30	半极性AlN材料及二极管制备研究 The grwoth of semipolar AlN and its diodes 张纪才--北京化工大学教授 ZHANG Jicai--Professor of Beijing University of Chemical Technology
09:30-09:50	高分辨率X射线衍射技术在半导体材料分析中的应用   Application of high-resolution X-ray diffraction technology in semiconductor material analysis 钟明光--马尔文岶纳科 亚太区半导体行业经理 Eddy ZHONG--Asia Pacific Semiconductor Industry Manager, Malvern Panalytical
09:50-10:05	Study on nucleation of AlN Thin Films Grown by MOCVD 鲁正乾--郑州大学 LU Zhengqian--Zhengzhou University
10:05-10:20	茶歇 / Coffee Break
10:20-10:40	基于HVPE的氮化镓单晶设备与工艺技术 GaN single crystal equipment and process technology based on HVPE 修向前--南京大学教授 XIU Xiangqian--Professor of Nanjing University
10:40-11:00	High Quality GaN-based HEMTs Grown on 8” Si Substrate Using Single Wafer MOCVD Platform 陈耀--中微公司MOCVD工艺总监   CHEN Yao--Director of MOCVD Process Technology，Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China（AMEC）
11:00-11:20	氮化镓同质外延中的雪崩击穿特性Avalanche breakdown characteristics in homogeneous epitaxy of GaN 冀 东--香港中文大学（深圳）助理教授 JI Dong--Assistant Professor of The Chinese University of HONGKONG, Shenzhen
11:20-11:35	助熔剂法生长GaN单晶衬底的研究进展 Research progress of GaN growth by Na Flux 司志伟--中国科学院苏州纳米所助理研究员 SI Zhiwei--Assistant Professor of Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences
11:35-11:50	基于双层石墨烯的高质量GaN薄膜的外延生长 Epitaxial growth of high-quality GaN films based on Bilayer graphene 周继宗--苏州大学 ZHOU Jizong--Soochow University
11:50-12:05	GaN:Mg薄膜金属调制外延中周期占空比的影响 The Effect of Periodic Duty Cyclings in metal-Modulated Epitaxy on GaN:Mg Film 方俊--中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 FANG Jun--Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences

 （备注：本场会议日程仍在调整中，仅供参考，最终以现场为准！）

部分嘉宾简介

沈波

北京大学理学部副主任、教授，，分会程序委员会专家

沈波，北京大学教授、北京大学理学部副主任。曾任国家973计划项目首席科学家、863计划“第三代半导体”重点专项总体专家组组长。现为国家十四五计划 “新型显示和战略性先进电子材料” 重点专项专家组副组长兼第三代半导体方向专家组组长，并担任国家第三代半导体产业技术创新战略联盟副理事长。1995年迄今一直从事GaN基第三代半导体材料、物理和器件研究，在GaN基薄膜和量子结构的MOCVD外延生长、强极化/高能带阶跃半导体二维电子气输运性质、 GaN基射频和功率电子器件、AlGaN基深紫外发光材料和器件等方面取得了在国内外同行中有一定影响的研究成果。先后与华为、京东方、彩虹集团、北方华创、广东光大集团等开展技术合作, 部分成果实现了产业化应用。先后获国家技术发明二等奖、国家自然科学二等奖、江苏省科技进步一等奖和教育部科技进步一等奖。

徐科

中国科学院苏州纳米所副所长、研究员，，分会程序委员会专家

徐科，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所副所长、研究员，江苏第三代半导体研究院院长。一直围绕高质量氮化物半导体材料生长、相关材料与器件物理开展研究。开展了多种与GaN晶格匹配的单晶体生长，在LiAlO2(100)衬底上用MOCVD方法首次外延生长出非极性m面GaN；系统研究了GaN的MOCVD和MBE生长机理，氮化物的极性选择、极性控制，阐明了极性对氮化铟(InN)生长的特殊影响，是国际上最早发现InN窄带隙的研究者之一；近年来重点开展氮化物的氢化物气相外延(HVPE)生长研究、极低缺陷密度氮化物材料的物性研究，研发出可以连续稳定生产GaN单晶衬底的HVPE系统，开发出高质量完整2英寸单晶氮化镓衬底，并实现批量生产；组织开展纳米尺度空间分辨的综合光电测试技术与装备研制、微纳尺度原位加工与测试技术的融合，并用于半导体中单个缺陷和低维结构的新奇物性研究。承担了国家自然科学基金、973重大研究计划、863项目、科技部国际合作项目、中科院装备研制项目、江苏省重大科技成果转化专项、发改委战略新兴产业化示范项目等。

黎大兵

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所研究员，分会程序委员会专家

黎大兵，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所研究员。主要研究领域为GaN半导体材料与器件。作为项目负责人承担国家重点研发计划课题、国家自然科学基金、中国科学院科研项目10余项。曾获中国科学院优秀导师、吉林省青年领军人才、吉林省第5批拔尖创新人才、中国科学院青年创新促进会优秀会员、中国科学院卢嘉锡青年人才奖、吉林省自然科学学术成果奖一等奖（排名第一）、吉林省优秀海外归国人才优秀奖等奖项和荣誉。担任《Scientific Reports》、《半导体学报》、《发光学报》编委，中国金属学会宽禁带委员会委员，OSA高级会员。在Physical Review Letters、Advanced Materials,Light：Science & Applications，Applied Physics Letters等国际期刊上等发表SCI论文50余篇，申请发明专利十多项。

毕文刚

江苏第三代半导体研究院副院长，分会程序委员会专家

毕文刚，江苏第三代半导体研究院副院长。美国加州大学圣地亚哥分校电气与计算机工程系博士。曾先后在美国惠普(HP)实验室、安捷伦(Agilent)实验室、飞利浦Lumileds 公司担任资深科学家，NNCrystal US Corporation/纳晶科技股份有限公司担任副总经理及董事会董事等职务，主持前沿技术研发及成果转化。长期从事半导体材料，量子点超晶格光电器件，固态照明和量子点显示领域的前沿科技研究及成果转化。以实现产业化为终极目标，领导和参与过多项大型科研项目, 并组建和培养了一批科技中坚力量。

张源涛

吉林大学教授，分会程序委员会专家

张源涛，吉林大学教授、博士生导师，教育部重大人才工程特聘教授，教育部新世纪人才，中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会委员。曾长期在德国和日本从事宽禁带半导体科学研究工作。2006年2月至2007年2月，德国德累斯顿工业大学应用物理研究所洪堡学者（Humboldt fellow）。2008年8月至2010年3月日本东北大学金属材料研究所JST-CREST研究员。2010年4月至2012年5月日本东北大学金属材料研究所日本学术振兴会外国人特别研究员(JSPS fellow)。主要研究方向涉及氮化物半导体材料的外延生长、物理特性及相关器件研究。氧化物材料的外延生长、物理特性及应用研究。新型光电子器件研究。该方面工作主要是开展石墨烯和无机钙钛矿等新颖材料与宽带半导体材料结合研究，构筑新型光电子器件等。承担国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项、国家自然科学基金重点项目、国家自然科学基金面上项目、国家重点基础研究发展计划（973项目）、吉林省重大科技攻关项目、国家自然科学基金青年项目等多个项目。

杨敏

江苏南大光电材料股份有限公司首席技术官，分会程序委员会专家

杨敏，江苏南大光电材料股份有限公司首席科学家。博士毕业于英国哈德斯菲尔德大学，博士毕业后先后在牛津大学和剑桥大学化学系任博士后研究员。回国前曾就职于英国UCL大学，任终身副教授、博导。2018年加入江苏南大光电材料股份有限公司。

于彤军

北京大学教授

于彤军，北京大学物理学院教授。长期从事 GaN 基宽禁带半导体发光材料、物理和器件研究，在氮化物纳米异质外延生长机理研究、缺陷和应力控制、AlGaN 深紫外发光偏振光学特性的机理和光场调控方面取得一系列成果。2016年起开展AlN单晶PVT设备建设和晶体生长研究，实现了PVT法2英寸AlN晶体生长。

武洪磊

深圳大学物理与光电工程学院副院长

武洪磊，深圳大学物理与光电工程学院副院长。主要从事宽禁带半导体材料的制备及相关器件研究，设计了国内首台宽禁带半导体材料-氮化铝晶体的专用生长炉，并形成了具有知识产权保护的氮化铝晶体生长技术体系，同时进行了器件验证。

张纪才

北京化工大学教授

张纪才，北京化工大学教授。曾先后在以色列理工学院、日本名古屋工业大学、日本三重大学从科研工作，长期从事III族氮化物半导体材料和器件研究。

修向前

南京大学教授

修向前，南京大学教授。曾留学日本电气通信大学，先后在香港中文大学、美国Grinnell大学等访问研究。主要从事基于III族氮化物宽带隙半导体衬底材料与设备以及III族氮化物纳米结构材料与器件等的研究和应用。2017年，主持的国家重点研发计划“第三代半导体核心关键装备”获得立项。曾主持/参与863计划、973、国家自然科学基金、国家自然科学基金重大项目、江苏省自然科学基金等项目。已获得授权国家发明专利30余项（第一发明人20余项），申请国家发明专利30余项。相关研究成果“III族氮化物半导体极化和缺陷研究”获得2010年度“高等学校科学研究优秀成果奖（科学技术）”自然科学奖一等奖，本人排名第二。

陈耀

中微公司MOCVD工艺总监

陈耀，中微公司MOCVD工艺技术总监，博士期间主要从事GaN材料的生长与特性研究。2011年至2014年在上海蓝光科技有限公司担任外延经理，主要负责LED产品的研发和量产。2014年加入中微公司，主要从事中微公司MOCVD产品的工艺开发， 参与开发的MOCVD产品包括Prismo D-BLUE®、Prismo A7®、Prismo A8®、Prismo PD5® 和 Prismo UniMax®。

钟明光 

马尔文岶纳科 亚太区半导体行业经理

钟明光，马尔文岶纳科 亚太区半导体行业经理。曾任台湾明志科技大学及台湾东海大学 X-Ray专题讲师。在马尔文帕纳科任职超过20年，一直从事半导体行业分析设备的应用与研究，发表多篇 X-Ray 应用于SiGe材料的分析技术文章，精通X射线衍射及X射线荧光在第一代、第二代及第三代半导体材料领域的分析技术。

司志伟    

中国科学院苏州纳米所助理研究员

更多论坛进展信息，敬请关注半导体产业网、第三代半导体产业！

附论坛详细信息：

会议时间 : 2023年11月27-30日

会议地点 :中国· 福建 ·厦门国际会议中心

主办单位：

厦门市人民政府

厦门大学

第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）

中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）

承办单位：

厦门市工业和信息化局

厦门市科学技术局

厦门火炬高新区管委会

惠新(厦门)科技创新研究院

北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司

论坛主题：低碳智联· 同芯共赢

程序委员会 ：

程序委员会主席团

主席：

张   荣--中国科学院院士，厦门大学党委书记、教授

联合主席：

刘   明--中国科学院院士、中国科学院微电子研究所所研究员

顾   瑛--中国科学院院士、解放军总医院教授

江风益--中国科学院院士、南昌大学副校长、教授

李晋闽--中国科学院特聘研究员

张国义--北京大学东莞光电研究院常务副院长、教授

沈   波--北京大学理学部副主任、教授

徐   科--江苏第三代半导体研究院院长、中科院苏州纳米所副所长、研究员

邱宇峰--厦门大学讲座教授、全球能源互联网研究院原副院长

盛   况--浙江大学电气工程学院院长、教授

张   波--电子科技大学教授

陈   敬--香港科技大学教授

徐现刚--山东大学新一代半导体材料研究院院长、教授

吴伟东--加拿大多伦多大学教授

张国旗--荷兰工程院院士、荷兰代尔夫特理工大学教授

Victor Veliadis--PowerAmerica首席执行官兼首席技术官、美国北卡罗莱纳州立大学教授