华泰证券发布研究报告称，SiC和GaN作为新型功率半导体材料，已进入快速发展阶段。2018年特斯拉的功率器件应用加速了SiC应用于新能源车的进程。SiC相较GaN有三年的商业化领先，全球市场由Wolfspeed、Coherent、安森美等公司垄断。在小米推出手机快充后，GaN产业规模迅速扩大，产业龙头有住友化学、英飞凌、三安光电（600703）等。
▍华泰证券主要观点如下：
SiC商业化进程领先GaN三年，预计2026年投资扩产或转向GaN SiC和GaN作为新型功率半导体材料，已进入快速发展阶段。2018年特斯拉的功率器件应用加速了SiC应用于新能源车的进程。SiC相较GaN有三年的商业化领先，全球市场由Wolfspeed、Coherent、安森美等公司垄断。在小米推出手机快充后，GaN产业规模迅速扩大，产业龙头有住友化学、英飞凌、三安光电等。
GaN相较SiC长晶速度快、成本更低，GaN可以利用现有的硅(Si)工艺和设备，在普通的硅衬底上生长。而SiC则需要采用高纯度的SiC衬底，大幅提高了材料成本。GaN未来的增长动能取决于能否在工业、汽车领域应用，但GaN上车仍处于送样测试阶段，车规级器件放量预计会在2028年左右。
展望未来，SiC和GaN或将形成各自的市场格局，预计2026年随着SiC产能饱和，大型公司可能将目光转向GaN领域投资扩产。
SiC领域M&A活跃，Coherent通过合资子公司提前锁定日本市场
在SiC领域，融资并购活动主要是公司为了掌握核心技术提升良率，从而实现规模效应来降本增效，或是为了锁定产能确保衬底供应的稳定性。2008年罗姆公司收购SiCrystal，2019年意法半导体收购Norstel，以及2021年安森美收购了GT Advanced，在后续业务实践中都实现了双赢。2022年II-VI收购Coherent后，新公司命名为Coherent，并加速SiC业务布局。
今年10月11日，三菱电机和Denso分别投资5亿美元在Coherent 子公司Silicon Carbide LLC各占股12.5%，签署6英寸和8英寸SiC晶圆的长期供应协议，提前锁定日本市场。
国内SiC龙头在质量和工艺取得突破，降本增效取决于多方面因素
国内SiC衬底龙头在质量方面实现较大突破，但在工艺上仍有差距。
1)技术来源：国内60余家SiC衬底企业，主要的技术和人才来源于天科合达和天岳先进;
2)质量：国内SiC衬底质量能与国外巨头相媲美，具备竞争力;
3)工艺：海外内龙头企业在长晶速度上距离也缩小;4)长晶设备：国内PVT设备国产率高，性价比较高;5)能源：由于长晶炉内温度高达2400摄氏度，能耗大。而国内太阳能、风电水电充足，有潜在降本可能性;6)技术人才：国外龙头企业的技术团队更加稳定。
长晶技术为大尺寸SiC衬底研发核心挑战，激光切割或为下一代技术主流
国内晶圆尺寸在从4到6英寸过渡，6英寸去年开始大规模量产，8英寸全球只有Wolfspeed在纽约的莫霍克谷工厂有小批量试产，良率为公司核心机密未披露。8英寸晶圆性价比较低，面积约为6英寸晶圆的1.8倍，但价格高达2000美元为6英寸片价格的2.5倍。
长晶技术是研发8英寸SiC衬底的核心挑战，由于长晶过程类似“黑匣子”，在高成品率和拉晶长度之间取合适平衡需要大量的工艺经验积累，还需要对材料、坩埚、热场、SiC粉末等不断进行优化和升级。后续切磨抛过程中，8英寸由于其更大尺寸，在切割过程中出现的应力、翘曲等问题亟需技术迭代，激光切割技术或为下一代主流方案。
（来源： 智通财经）
