近日，格芯宣布已获得美国提供的3500万美元联邦资金，以加速其位于佛蒙特州Essex Junction的工厂在硅半导体上制造差异化氮化镓（GaN）芯片。
格芯佛蒙特州半导体制造工厂表示，继续朝着大规模生产用于航空航天和国防、蜂窝通信、工业物联网和汽车的下一代氮化镓芯片迈进。
格芯总裁兼CEO Thomas Caulfield表示：“硅基氮化镓是新兴市场高性能射频、高压功率开关和控制应用的理想技术，对于6G无线通信、工业物联网和电动汽车非常重要。”
格芯计划购买更多设备来提升开发和原型设计能力，向大规模200mm硅基氮化镓半导体制造迈进。作为投资的一部分，格芯计划实施新的能力，以减少格芯及其客户面临镓供应链限制的风险，同时提高氮化镓芯片的开发速度、供应保证和竞争力。
资料显示，氮化镓因具备宽禁带、高频率、低损耗、抗辐射强等优势，可以满足各种应用场景对高效率、低能耗、高性价比的要求，因此受到了市场密切关注。
当前，氮化镓的应用已经不再局限于快充等消费电子市场，而是向数据中心、可再生能源甚至新能源汽车市场持续推进。
据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询调查显示，到2026年，全球GaN功率元件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长到13.3亿美金，复合增长率高达65%。
强大的市场需求下，包括格芯、英飞凌、DB Hi-Tech、三安光电、华润微等众多半导体厂商开始扩充生产线，布局氮化镓市场。未来，氮化镓成长空间广阔。
