据日经中文网，日本最大的半导体晶圆企业信越化学工业和从事ATM及通信设备的OKI公司日前宣布，其开发出了以低成本制造使用氮化镓（GaN）的功率半导体材料的技术。新技术可以在特有的QST基板上喷镓系气体，使晶体生长。信越化学工业的增厚晶体技术与OKI的接合技术相结合，从基板上只揭下晶体，晶体放在其他基板上作为功率半导体的晶圆使用。新制法可以高效制造晶体，可以降低9成成本。信越化学工业透露，这一技术可以制造6英寸晶圆，希望在2025年增大到8英寸，今后还考虑向半导体厂商销售技术等业务模式。
氮化镓是最具代表性的第三代半导体材料之一，可满足各种应用场景对高效率、低能耗、高性价比的要求。凭借其强大的高频低耗优势，GaN器件已在太阳能逆变器、风力发电、新能源汽车等领域陆续“上车”。随着最新技术驱动成本的快速下行，氮化镓渗透率及市场规模望加速成长。Yole预测，2020年全球氮化镓功率器件市场规模约为4600万美元，预计2026年可达11亿美元，2020-2026年年均复合增长率有望达到70%。
浙商证券研报此前指出，全球氮化镓主要创新主体的龙头集中于日本、美国。氮化镓产业国外重点企业包括日 本住友、美国 Cree、德国英飞凌、韩国 LG、三星等，中国企业代表有，晶元光电、三安 光电、台积电、华灿光电等，目前中国企业和国外企业相比，技术储备、生产能力等方面仍有巨大差距。
华金证券此前指出，国内企业方面，三安光电、华润微、英诺赛科、赛微电子、珠海镓未来等厂商等加速布局氮化镓并推进产品落地和商用。
