高端光通信芯片IDM项目签约落户无锡高新区 总投资10亿元

日期:2023-08-31 阅读:235
核心提示:8月30日,高端光通信芯片项目签约落户无锡高新区。无锡高新区在线消息显示,高端光通信芯片项目总投资10亿元,拟建设集高端光芯

 8月30日,高端光通信芯片项目签约落户无锡高新区。

无锡高新区在线消息显示,高端光通信芯片项目总投资10亿元,拟建设集高端光芯片设计、制造和封测于一体的IDM芯片总部企业,主要搭建磷化铟和砷化镓双平台的化合物芯片产线,生产各类高端光通信芯片,预计年销售额超20亿元。此次签约落地的高端光通信芯片项目由华业天成资本领投。华业天成、无锡高新区、T-OnE出席了签约仪式。

据悉,无锡高新区集成电路产业链完备,已形成涵盖芯片设计、晶圆制造、封装测试、装备材料等各个环节的全产业、立体式发展格局。2022年,高新区集成电路产业规模达到1352亿元,是全国为数不多的规模突破千亿级的集成电路产业集聚区。

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