近日，瑶光半导体1期工厂投入运营，规划2条万级洁净装配线，目前主要用于碳化硅(SiC）激光退火设备的研发生产以及SIC外延设备( MOCVD)的装配调试。
同时，莫干山研究院与瑶光半导体成立联合实验室，该实验室将承接产学研孵化项目，共同深入开展相关课题研究。
国内率先量产SiC激光退火设备
瑶光半导体自主研发的SiC激光退火设备(ES500)已经率先实现量产，并将于9月完成首批交付。
与同类产品相比，ES500采用多项自主专利技术。凭借更高的生产效率、更高的安全可靠性、逐行及局部退火双模式以及全自动生产等多种核心技术优势，在增效降本方面体现行业竞争力。
专注第三代宽禁带半导体制程设备研发及制造
瑶光半导体在研设备“星型SiC MOCVD”（ES600)，将持续加大自主研发力度，进一步提供核心部件国产化解决方案。据了解，ES600计划于今年四季度完成研发，这将有望填补国内该市场领域的空白。
根据YOLE数据统计，2027年全球导电型碳化硅功率器件市场规模将由2021年的10.90亿美元增至62.97亿美元，2021-2027年每年以34%年均复合增长率快速增长。
作为国内极少数正向研发并已实现规模化、产业化制造销售第三代宽禁带半导体制程设备的公司，瑶光半导体将继续以领先的技术创新优势，进一步推进半导体制程设备的研发生产工作，与芯片研发制造企业共赢。
