日前，三安光电公布了2023年半年报，报告期内整体营收约64.69亿元，同比下降4.33%；归属于上市公司股东的净利润1.7亿元，同比下降 81.76%；归属于上市公司股东的扣非净利润为-5.55亿元，总体情况大致与7月份公布的业绩预告相符。
集成电路业务收入、毛利率同步增长
按业务板块划分，三安光电收入来源于LED业务、集成电路业务两大板块，上半年两大业务收入一降一升，占比分别约为76%、24%。
LED业务具体包含外延芯片、封装和应用等，上半年实现销售收入49.47亿元，同比下降6.67%；集成电路业务涵盖射频前端、光技术、电力电子等三大应用领域，上半年各细分业务实现稳步成长，共实现销售收入15.22亿元，同比增长4.14%。
毛利率方面，得益于SiC产能的持续释放，成本降低，SiC业务毛利率有所提高，叠加GaAs射频和GaN射频业务的推进，三安光电集成电路整体毛利率增长了7.75%。
射频前端：滤波器出货量同比增长超2倍
三安光电的射频前端业务产品包括供射频功放/低噪放、滤波器、SIP封装等差异化解决方案，应用于手机、WiFi、物联网、路由器、通信基站等市场。其中，滤波器业务主要由泉州三安主导，上半年出货量同比增长超2倍，但三安提到，滤波器产能稼动率仍有较大提升空间。目前，滤波器产能为150KK/月，主要发展SAW技术路线。
另外，GaAs射频部分主要为客户提供高品质HBT、pHEMT等先进工艺芯片代工服务，可覆盖频段已延伸至Ka频段，客户是国内主要设计公司。上半年，下游消费电子客户的库存已基本消化完，开始同步备货以应对市场需求回暖，三安的GaAs射频产能稼动率也随着客户需求的增加逐步上升，产量呈逐月上升趋势。目前，GaAs射频产能为15,000片/月。
上半年，泉州三安营收为12.03亿元，同比小幅下降；净利润转亏。值得一提的是，泉州三安的业务还包含LED外延芯片等，上半年该部分业务受终端需求疲软及行业去库存下的激烈竞争影响较大，业绩有所下滑。
光技术：车载雷达用VCSEL产品已获得定点
光技术业务主要由三安集成主导，目前产能已达2,750 片/月，产品应用包括车载激光雷达芯片和接入网、数据通信、电信传输、智能 AI、消费工业类（光感测、医美、监控、加热等）等市场。
其中，车载激光雷达芯片主要是VCSEL产品，也是近年来备受业内和投资市场看好的一大技术。目前，三安集成的车载雷达用VCSEL产品已在雷达客户以及国内车厂处获得定点。另据此前官方透露，三安集成各类激光芯片已实现单月kk级别的出货量。上半年，三安面向车载激光雷达和消费工业类领域新开发了40多家客户。
除了车载激光雷达芯片，三安的其他光技术产品上半年已进入国内主流手机供应链，硅光领域大功率DFB芯片已小批量交付客户。目前，光技术业务合作客户已超170家。
上半年，三安集成实现营收9.54亿元，净利润为4021.52万元，同比均有所下降。
电力电子：湖南三安收入增长178.86%
电力电子业务由湖南三安主导，目前以SiC为主，GaN占比较小。从产能来看，湖南三安现有SiC产能15,000片/月，GaN-on-Si产能2,000片/月。SiC产品现以衬底及芯片为主，功率模块主要由其与理想汽车合资成立的苏州斯科半导体生产。
衬底方面，6吋产品已通过数家国际大客户验证，并实现批量出货，而且未来两年产能已基本锁定，8吋衬底也已实现小批量试制。
芯片方面，目前以SiC二极管产品为主，已应用到新能源汽车、光伏储能等功率半导体市场。三安指出，650V 20A的可靠性数据已经达6000h，并已迭代推出第四代高性能产品，通过车规认证的产品正持续出货。
MOSFET部分，1200V及1700V系列产品包含80mΩ/32mΩ/20mΩ/16mΩ/1Ω，产品在比导通电阻特性、击穿电压特性和阈值电压稳定性上有较好的表现。其中，80mΩ产品已在光伏及车载充电机客户端导入批量订单；车规级1200V 16mΩ已在数家战略客户处进行模块验证，预计于2024年正式上车量产。此外，MOSFET代工业务已与龙头新能源汽车及配套企业展开合作。
功率模块方面，斯科半导体已完成动力设备安装、调试，待产线通线后进入试生产，目前规划年产能为240万只SiC半桥功率模块。
GaN方面，湖南三安的GaN-on-Si产品主要应用于快充适配器、服务器电源等。目前，湖南三安拥有硅基氮化镓代工平台，650V芯片代工平台已广泛导入消费电子领域，与客户合作开发扩展至高可靠度的大功率工业电机、服务器以及汽车车载充电器等。高压部分，湖南三安已完成900V 器件的开发，并已导入到客户产品设计及系统验证。
上半年，SiC市场需求强劲，湖南三安整体业绩保持增长的趋势，实现营收5.82亿元，同比增长178.86%；净利润为3.32亿元，同比显著增长266.99%。
在SiC领域，三安光电与ST意法半导体已达成战略合作，未来双方共同投资成立的合资公司生产的SiC外延、芯片将独家销售给ST或其指定的实体，工厂预计2025年完成阶段性建设并逐步投产，2028年规划达产后产能为10,000片/周。另外，湖南三安将在重庆设立全资子公司生产8吋SiC衬底供应给合资公司，以保证其未来材料的工艺需求，达产后产能为48万片/年。目前，由三安间接全资控股的重庆三安半导体已经成立。
三安光电与ST的合作，无疑将对三安光电的SiC产品渗透率、营收规模与盈利能力产生积极影响。虽然，目前SiC/GaN电力电子业务收入占三安集成电路业务总收入的比重还不高，约38%，但未来有望随着需求的增长和产能的释放而进一步提升，成为驱动三安光电整体业绩增长的重要引擎。
来源：化合物半导体市场
