7月31日，天岳先进(688234.SH)在投资者互动平台表示，碳化硅晶体的生长方法主要有物理气相传输法（PVT）、高温化学气相沉积法、液相法等。
其中，PVT法是目前规模化碳化硅晶体生长方法。而液相SiC长晶技术具有多个优势，包括晶体质量高、成本低等，近年来受到高度关注。目前液相法尚未实现产业化大规模生产。
公司是国内最早从事碳化硅半导体材料产业化的企业之一，具备技术领先的技术优势和产业化能力。在碳化硅长晶方面，公司具有全自主的核心技术，实现了从2英寸到8英寸完全自主扩径，从基础原理到技术、工艺的深入积累。
公司是国际上少数几个自主掌握碳化硅衬底制备核心关键技术能够实现规模化生产的企业之一，特别是具备突出的产业化经验。
公司近年来研发投入较大，研发与规模化生产形成良好的正循环积累，一方面公司工程化试验数据为技术和良率的持续改进提供了关键支持，也是产品质量领先的关键因素；另一方面，碳化硅衬底制备具有较高的技术壁垒，同时技术发展日新月异，这都有助于提高衬底质量、降低衬底成本、推动碳化硅半导体材料和技术的加快渗透应用。公司在前瞻性技术发展方向做了全方位布局。
