碳化硅（SiC）作为一种宽禁带半导体材料，具有优异的电子特性，使得碳化硅功率模块在高功率和高温应用中具有出色的性能。同时得益于碳化硅半导体材料高温性能、高功率密度、高频特性、低开关损耗、小尺寸和轻量化等性能和优势。碳化硅功率模块逐渐成为储能系统中的一种重要解决方案。碳化硅功率模块在功率密度提升、散热优化、集成设计等方面不断提升。
2023年7月26日，“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”于西安开幕。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通大学、极智半导体产业网（www.casmita.com）、第三代半导体产业主办，西安电子科技大学、中国科学院半导体研究所、第三代半导体产业技术创新战略联盟人才发展委员会、全国半导体应用产教融合（东莞）职业教育集团联合组织筹办。
开幕大会上，苏州锴威特半导体股份有限公司应用总监牛坤宏做了题为“碳化硅功率模块设计及其在储能应用中的机会及挑战”的主题报告。当前，SiC器件各领域加速替代Si基器件，储能是新型电力系统的重要组成和关键支撑。报告详细分享了当前PCS的技术发展，认为SiC混合ANPC是兼具性能和成本优势的最佳选择。报告分享了低寄生参数的模块设计，高性能、高功率密度的模块封装技术，并指出SiCMOS+IGBT混合方案，大功率PCS的最佳选择。
CASICON 系列活动简介
“先进半导体产业大会（CASICON）” 由【极智半导体产业网】主办，每年在全国巡回举办的行业综合活动。活动聚焦先进半导体产业发展热点，聚合产业相关各方诉求，通过“主题会议+项目路演+展览”的形式，促进参与各方交流合作，积极推动产业发展。CASICON 系列活动将以助力第三代半导体产业为己任，持续输出高质量的活动内容，搭建更好的交流平台，为产业发展贡献应尽的力量。
