半导体产业网获悉:晶盛机电近期在机构调研中指出,公司成功研发出具有国际先进水平的 8 英寸单片式碳化硅外延生长设备,引领国内碳化硅行业技术升级。
晶盛机电表示,目前公司在 8 英寸衬底基础上,已实现 8 英寸单片式碳化硅外延生长设备的自主研发与调试,外延的厚度均匀性 1.5%以内、掺杂均匀性 4%以内,已达到行业领先水平,这是公司在第三代半导体设备领域的又一次重要技术突破。
半导体产业网获悉:晶盛机电近期在机构调研中指出,公司成功研发出具有国际先进水平的 8 英寸单片式碳化硅外延生长设备,引领国内碳化硅行业技术升级。
晶盛机电表示,目前公司在 8 英寸衬底基础上,已实现 8 英寸单片式碳化硅外延生长设备的自主研发与调试,外延的厚度均匀性 1.5%以内、掺杂均匀性 4%以内,已达到行业领先水平,这是公司在第三代半导体设备领域的又一次重要技术突破。